公开(公告)号：CN110809817B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201880042529.6

申请日：2018-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水昭贵 ,  宇田秀一郎 ,  斋藤刚 ,  加藤大辉

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 选择性地蚀刻氮化硅膜的方法具有以下的工序：第一工序，将具有氮化硅膜的被处理基板配置在处理空间中；第二工序，向处理空间导入包含H和F的气体；以及第三工序，选择性地向处理空间导入非活性气体的自由基。

公开(公告)号：CN110809817A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201880042529.6

申请日：2018-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水昭贵 ,  宇田秀一郎 ,  斋藤刚 ,  加藤大辉

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 选择性地蚀刻氮化硅膜的方法具有以下的工序：第一工序，将具有氮化硅膜的被处理基板配置在处理空间中；第二工序，向处理空间导入包含H和F的气体；以及第三工序，选择性地向处理空间导入非活性气体的自由基。