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公开(公告)号：CN102646614A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210035621.4
申请日：2012-02-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67017 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种冷却机构和冷却方法，其能够减少真空汽化冷却所必要的热介质，并高效地冷却被冷却部件。该冷却机构，是将被冷却部件的温度冷却到目标温度的冷却机构(6)，其包括：与上述被冷却部件以能够传热的方式连接的减压室(60)；向减压室(60)的内表面喷雾上述目标温度以下的液相的热介质的喷雾部(64)；产生用于使从喷雾部(64)喷雾的热介质附着于减压室(60)的内表面的电场的电场产生部(68)；和为了使减压室(60)的内压成为在上述目标温度时的上述热介质的饱和蒸气压以下，而对减压室(60)进行排气的排气部。
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公开(公告)号：CN101785090A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880102825.7
申请日：2008-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永关澄江
IPC: H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , B05D5/00 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/6715 , H01L21/7682 , H01L23/53238 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在作为绝缘膜形成材料的涂覆液中，使带正电或负电并且浮力大致为零的微小的气泡产生的工序；将包括所述气泡的涂覆液涂覆在基板上而形成涂覆膜的工序；和在所述气泡消失前，通过对所述基板进行加热而烘焙所述涂覆膜，得到多孔质的低介电常数的绝缘膜的工序。
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公开(公告)号：CN101720503A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200980000455.0
申请日：2009-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H05H1/00
CPC classification number: H05H1/0081 , H01J37/32935
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置。等离子体监测装置(100)具备测定部(101)和与该测定部(101)连接的同轴电缆(102)。同轴电缆(102)的一端被插入到处理室(2)内的等离子体生成区域内。同轴电缆(102)的前端部分为探针，该部分是芯线露出的状态。测定部(101)检测由同轴电缆(102)的探针部分检测出的等离子体中存在的电磁波的频率分布，并显示该检测出的频率分布。
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公开(公告)号：CN101785090B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200880102825.7
申请日：2008-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永关澄江
IPC: H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , B05D5/00 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/6715 , H01L21/7682 , H01L23/53238 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在作为绝缘膜形成材料的涂覆液中，使带正电或负电并且浮力大致为零的微小的气泡产生的工序；将包括所述气泡的涂覆液涂覆在基板上而形成涂覆膜的工序；和在所述气泡消失前，通过对所述基板进行加热而烘焙所述涂覆膜，得到多孔质的低介电常数的绝缘膜的工序。
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公开(公告)号：CN102187439A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141403.5
申请日：2009-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 将含有具有堆积性的蚀刻气体即氟碳系气体的处理气体和作为添加气体的SF6气体导入处理室内，并且在处理室内生成等离子体，通过该等离子体，对基板上形成的含硅氧化膜以抗蚀图案作为掩模进行蚀刻。此时，基于添加气体的流量变化与蚀刻速率及抗蚀剂选择比的变化关系，将添加气体的流量设定在如下的添加气体的流量范围内，即，伴随添加气体流量的增大，蚀刻速率及抗蚀剂选择比的变化均处于上升的趋势的流量范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809720A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109006.5
申请日：2008-09-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够在通过电负性气体进行等离子体处理时，控制等离子体中的离子密度，比现有技术进一步提高等离子体处理的面内均匀性。将作为电负性气体的处理气体从处理气体源(170)导入到处理室(102)内，并且将与该处理气体相比电子附着系数大的电负性气体作为添加气体从添加气体源(180)导入来形成等离子体，此时，通过调整添加气体相对于处理气体的流量来控制所述等离子体中的离子密度。
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公开(公告)号：CN102626042A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210023777.0
申请日：2012-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: Y02A40/252 , Y02A40/256
Abstract: 本发明提供在植物的培育中，可以供给充分的光量、可以微调光量和波长且维修性也良好的植物培育光源单元。其具备发出生长促进光的光源部(2)和包含使生长促进光透射的窗构件(31)的光透射部(3)；光源部(2)包含电极对列和高频电源(22)，该电极对列由配置在窗构件(31)的主面上、由电极板对构成的平行平板电极对(23)在与窗构件的主面平行的方向上多对排列而形成，该高频电源(22)在各平行平板电极对之间施加用于使作为光源的等离子体发生的高频。
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公开(公告)号：CN102379030A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080014856.4
申请日：2010-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01J2237/2001 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供半导体制造装置及调温方法。与以往的调温方法相比，能够实现半导体晶圆的均匀的调温和高响应性。半导体制造装置包括在内部具有空洞(21)的晶圆载置台(2)、及为了将晶圆载置台(2)的温度调整为工艺温度而向空洞(21)的内壁喷射工艺温度以下的水的喷嘴(64a)，其中，该半导体制造装置包括：压力传感器(71)，其用于检测空洞(21)内的压力；真空泵，其用于排出空洞(21)内的气体，使得由压力传感器(71)检测出的压力为从喷嘴(64a)喷射的水的温度时的饱和蒸气压以上且工艺温度时的饱和蒸气压以下。
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公开(公告)号：CN101720503B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200980000455.0
申请日：2009-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H05H1/00
CPC classification number: H05H1/0081 , H01J37/32935
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置。等离子体监测装置(100)具备测定部(101)和与该测定部(101)连接的同轴电缆(102)。同轴电缆(102)的一端被插入到处理室(2)内的等离子体生成区域内。同轴电缆(102)的前端部分为探针，该部分是芯线露出的状态。测定部(101)检测由同轴电缆(102)的探针部分检测出的等离子体中存在的电磁波的频率分布，并显示该检测出的频率分布。
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公开(公告)号：CN101821837A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200980100651.5
申请日：2009-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32935
Abstract: 本发明提供等离子体测定方法、等离子体测定装置和存储介质，其能够确定电正性等离子体区域与电负性等离子体区域的边界的处理条件。在真空容器内，阶段性地改变从包括电负性气体和电正性气体的流量比、上述真空容器内的压力、以及使上述电负性气体和电正性气体等离子体化时的能量的大小的处理条件的参数中选择的参数，基于至少三种以上的处理条件生成等离子体。接着，对位于该等离子体中的朗缪尔探针施加电压，按各个处理条件取得表示该施加的电压与流过该探针的电流的关系的电流电压曲线。然后，基于所取得的上述电流电压曲线组求取电正性等离子体区域和电负性等离子体区域的边界的处理条件。
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