公开(公告)号：CN111326446A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911248706.9

申请日：2019-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 增永正义 ,  佐佐木丰

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供热处理装置。本发明的一个方式的热处理装置包括：纵长的处理容器；设置于上述处理容器的周围的加热装置；温度传感器，其沿上述处理容器的长边方向设置在上述处理容器内或者上述处理容器与上述加热装置之间的空间；和一对分隔件，其在上述空间以隔着从上述处理容器的中心轴延伸而通过上述温度传感器的半直线的方式设置，并沿上述处理容器的长边方向延伸。本发明能够提高热处理时的温度再现性。

公开(公告)号：CN111326446B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201911248706.9

申请日：2019-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 增永正义 ,  佐佐木丰

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供热处理装置。本发明的一个方式的热处理装置包括：纵长的处理容器；设置于上述处理容器的周围的加热装置；温度传感器，其沿上述处理容器的长边方向设置在上述处理容器内或者上述处理容器与上述加热装置之间的空间；和一对分隔件，其在上述空间以隔着从上述处理容器的中心轴延伸而通过上述温度传感器的半直线的方式设置，并沿上述处理容器的长边方向延伸。本发明能够提高热处理时的温度再现性。

公开(公告)号：CN117293051A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310702566.8

申请日：2023-06-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  佐佐木丰 ,  高桥真实 ,  石井亨 ,  伏见直茂 ,  吉井弘治

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种能够提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。一种基片处理装置，其包括：收纳基片的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；对所述处理容器内进行排气的排气部；加热所述处理容器的加热机构；和喷射用于冷却所述基片的冷却气体的冷却气体喷射部。