公开(公告)号：CN101162686A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710152463.X

申请日：2007-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥喜一 ,  佐瀬雄一郎 ,  佐藤泉 ,  高桥清彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/00 ,  F27B17/00

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：处理容器，其下部具有炉口，并且具有用于收容被处理体且能够在减压状态下对该被处理体进行规定热处理的石英制容器主体；金属制盖体，其用于载置搭载有多个被处理体的保持件并相对于处理容器对该保持件进行搬入、搬出，同时进行炉口的关闭、开放；和环状的气密部件，其被设置在该盖体上的周缘部，用于密封与处理容器的炉口之间，其中，在所述盖体上设置有接触限制部件，该接触限制部件用于限制因处理容器内为减压状态时所述气密部件在盖体与炉口之间压坏而引起的盖体与炉口的接触。

公开(公告)号：CN113293360A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110096134.8

申请日：2021-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  石井亨 ,  瀬下裕志 ,  佐瀬雄一郎

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明涉及成膜装置和成膜方法。提供能够形成高品质的半导体膜的技术。本公开的一技术方案的成膜装置具有：旋转台，其设于真空容器内；载置台，其沿着所述旋转台的周向设置，用于载置基板；处理区域，在该处理区域，朝向所述旋转台的上表面供给处理气体；热处理区域，其沿着所述旋转台的周向与所述处理区域分离开地配置，在该热处理区域，以比所述处理区域的温度高的温度对所述基板进行热处理；以及冷却区域，其沿着所述旋转台的周向与所述热处理区域分离开地配置，在该冷却区域，冷却所述基板。

公开(公告)号：CN101162686B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200710152463.X

申请日：2007-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥喜一 ,  佐瀬雄一郎 ,  佐藤泉 ,  高桥清彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/00 ,  F27B17/00

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：处理容器，其下部具有炉口，并且具有用于收容被处理体且能够在减压状态下对该被处理体进行规定热处理的石英制容器主体；金属制盖体，其用于载置搭载有多个被处理体的保持件并相对于处理容器对该保持件进行搬入、搬出，同时进行炉口的关闭、开放；和环状的气密部件，其被设置在该盖体上的周缘部，用于密封与处理容器的炉口之间，其中，在所述盖体上设置有接触限制部件，该接触限制部件用于限制因处理容器内为减压状态时所述气密部件在盖体与炉口之间压坏而引起的盖体与炉口的接触。