公开(公告)号：CN102007588B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980113330.9

申请日：2009-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林贤一 ,  仲山阳一 ,  甲斐亘三 ,  白坂贤治

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67745 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109

Abstract: 基板载置台的降温方法使用基板(W)处理系统，该系统包括：第一基板载置台(2b)；一个以上的处理室(1b)，其在内部设置有第一基板载置台(2b)，在第一基板载置台(2b)上载置有基板(W)的状态下进行规定的处理；向处理室(1b)搬送基板(W)的基板搬送装置(31)；在内部设置有基板搬送装置(31)的搬送室；和用于冷却基板(W)的第二基板载置台(6a)。基板载置台的降温方法包括：利用基板搬送装置(31)将载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)向第二基板载置台(6a)搬送的第一移载工序；和利用基板搬送装置(31)将载置在第二基板载置台(6a)上的基板(W)向第一基板载置台(2b)搬送的第二移载工序。通过反复进行第一移载工序和第二移载工序，利用载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)吸收第一基板载置台(2b)的热，由此使第一基板载置台(2b)降温。

公开(公告)号：CN102007588A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113330.9

申请日：2009-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林贤一 ,  仲山阳一 ,  甲斐亘三 ,  白坂贤治

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67745 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109

Abstract: 基板载置台的降温方法使用基板(W)处理系统，该系统包括：第一基板载置台(2b)；一个以上的处理室(1b)，其在内部设置有第一基板载置台(2b)，在第一基板载置台(2b)上载置有基板(W)的状态下进行规定的处理；向处理室(1b)搬送基板(W)的基板搬送装置(31)；在内部设置有基板搬送装置(31)的搬送室；和用于冷却基板(W)的第二基板载置台(6a)。基板载置台的降温方法包括：利用基板搬送装置(31)将载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)向第二基板载置台(6a)搬送的第一移载工序；和利用基板搬送装置(31)将载置在第二基板载置台(6a)上的基板(W)向第一基板载置台(2b)搬送的第二移载工序。通过反复进行第一移载工序和第二移载工序，利用载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)吸收第一基板载置台(2b)的热，由此使第一基板载置台(2b)降温。

公开(公告)号：CN102002681A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010273812.5

申请日：2010-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫下哲也 ,  白坂贤治

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种在可抑制模型基板的翘曲的基板处理装置中的模型基板的使用方法。其包括下述工序：对收纳于模型基板收纳部的多个模型基板的每一个，基于在工艺室进行的工艺制法，通过计算机制作含有成膜的膜的种类和膜厚的成膜履历的工序；利用按照膜的种类使膜厚和由于成膜引起的基板的曲率变化相对应的曲率数据，基于该曲率数据和模型基板的上述成膜履历通过计算机求出该模型基板的曲率的工序；和基于含有所求出的模型基板的曲率、曲率数据、包含成膜处理的膜的种类及膜厚的工艺规程，制作向工艺室的输送规程以抑制模型基板的翘曲的工序。