公开(公告)号：CN112185848A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010595936.9

申请日：2020-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀内庆太 ,  前田幸治 ,  高梨守弘

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供基板输送装置以及基板输送方法。使借助中间室连结了多个真空输送室的基板输送装置小型化。基板输送装置输送基板，具有：多个真空输送室，均在内部设有保持基板并对其进行输送的基板输送机构；和中间室，配设在互相相邻的所述真空输送室之间，在将所述互相相邻的所述真空输送室中的一者设为第1真空输送室、将另一者设为第2真空输送室时，在所述中间室和所述第1真空输送室之间设有第1基板送入送出口，在所述中间室和所述第2真空输送室之间设有第2基板送入送出口，针对所述第1基板送入送出口和第2基板送入送出口中的仅所述第2基板送入送出口配设闸阀，所述第1基板送入送出口和所述第2基板送入送出口在高度方向上的位置不同。

公开(公告)号：CN111101109A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911012343.9

申请日：2019-10-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川西学 ,  铃木直行 ,  居本伸二 ,  横原宏行 ,  山形基 ,  前田幸治

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  H01L43/12 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种能够在将所载置的基板冷却成极低温的状态下使该基板旋转且冷却性能较高的载置台装置和处理装置。载置台装置具备：载置台，其在真空容器内保持被处理基板；冷冻传导体，其以与载置台隔着间隙的方式固定配置于载置台的背面侧，被冷冻机冷却成极低温；冷却流体，其向间隙供给，用于将冷冻传导体的冷能向载置台传导；载置台支承部，其将载置台支承成能够旋转，呈覆盖冷冻传导体的上部的圆筒状，并且具有真空绝热构造；以及旋转部，其支承载置台支承部，在被磁性流体密封着的状态下被驱动机构驱动而旋转。

公开(公告)号：CN109868456B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201811477893.3

申请日：2018-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 前田幸治 ,  横原宏行 ,  曽根浩 ,  宫下哲也

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。

公开(公告)号：CN113363199A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110205233.5

申请日：2021-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川西学 ,  前田幸治 ,  居本伸二 ,  山形基

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够高效地进行构成基片处理装置的载置台与制冷装置之间的热交换的、基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：处理容器，其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件；制冷装置，以在其与上述载置台的下表面之间具有间隙的方式配置，具有制冷机和与上述制冷机层叠的制冷载热体；使上述载置台旋转的旋转装置；使上述载置台升降的第一升降装置；致冷剂流路，其设置在上述制冷装置的内部，对上述间隙供给致冷剂；和冷量传递材料，其配置在上述间隙，与上述载置台和上述制冷载热体这两者可热传导地接触。

公开(公告)号：CN109868456A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201811477893.3

申请日：2018-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 前田幸治 ,  横原宏行 ,  曽根浩 ,  宫下哲也

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。

公开(公告)号：CN114174552A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080055400.6

申请日：2020-07-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 前田幸治 ,  岛田笃史 ,  及川克志 ,  宫下哲也

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明的成膜装置包括：处理容器；在处理容器内保持基片的基片保持部；配置于基片保持部的上方的阴极单元；和对处理容器内导入等离子体生成气体的气体导入机构。阴极单元包括：靶材；对靶材供给电功率的电源；设置于靶材的背面侧的磁体；和驱动磁体的磁体驱动部，磁体驱动部具有使磁体沿着靶材摆动的摆动驱动部和垂直驱动部，该垂直驱动部以独立于由摆动驱动部进行的驱动的方式在与靶材的主面垂直的方向上驱动磁体，通过磁控溅射使溅射颗粒沉积在基片上。