公开(公告)号：CN113363143A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110239207.4

申请日：2021-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈部宪明 ,  清野拓哉 ,  小塚亮太 ,  滨田康弘 ,  季子祐太郎

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种处理晶片的方法，是用于以高纵横比进行含硅膜的蚀刻的技术。示例性实施方式所涉及的处理晶片的方法具备：准备具有基板和设置在基板上的含硅膜的晶片的工序。该方法还具备：在含硅膜上形成硬掩模的工序。该方法还具备：使用硬掩模对含硅膜进行蚀刻的工序。硬掩模具有包含钨且且设置在含硅膜上的第一膜、以及包含锆或者钛以及氧且设置在第一膜上的第二膜。

公开(公告)号：CN120072639A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411626463.9

申请日：2024-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清野拓哉 ,  滨田康弘 ,  光成正 ,  金子都

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供了一种提高蚀刻对象膜的蚀刻形状的技术，包括：(a)提供包含蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序，掩模包含限定至少一个开口的侧壁；(b)使用由含有碳和氢的处理气体生成的等离子体，在掩模上选择性形成含有碳的附加掩模的工序；和(c)使用由蚀刻气体生成的等离子体，对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN115461489A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030110.0

申请日：2021-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清野拓哉 ,  小田岛保志 ,  渡边直树 ,  户岛宏至 ,  品田正人 ,  宫下哲也

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及PVD装置。PVD装置具备：腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内，并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶，该靶暴露在腔室内的空间，并针对一个载置台设置至少一个。电力供给机构经由第一靶保持部向靶供给电力。屏蔽件设置于腔室内，一部分配置在多个载置台中的第一载置台与第二载置台之间、以及第一载置台上的第一处理空间与第二载置台上的第二处理空间之间。