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公开(公告)号：CN102165573B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN200980138541.8
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/44
CPC classification number: H01L21/76814 , C23C16/0236 , C23C16/16 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76864
Abstract: 本发明提供了用于将钌(Ru)金属沉积结合于半导体器件制造中以改善铜(Cu)金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施例包括用NHx(x≤3)自由基和H自由基处理包括金属层和低k电介质材料的图案化衬底，以提高Ru金属层在金属层上相对于在低k电介质材料上的选择沉积。
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公开(公告)号：CN103031529B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210376114.7
申请日：2012-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/32688 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。
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公开(公告)号：CN103031529A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210376114.7
申请日：2012-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/32688 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。
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公开(公告)号：CN102165573A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138541.8
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/44
CPC classification number: H01L21/76814 , C23C16/0236 , C23C16/16 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76864
Abstract: 本发明提供了用于将钌(Ru)金属沉积结合于半导体器件制造中以改善铜(Cu)金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施例包括用NHx(x≤3)自由基和H自由基处理包括金属层和低k电介质材料的图案化衬底，以提高Ru金属层在金属层上相对于在低k电介质材料上的选择沉积。
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