公开(公告)号：CN1842242A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610066499.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  田中秀朗 ,  藤原尚 ,  舆水地盐 ,  小岩史明 ,  小林俊之 ,  仲山阳一 ,  中村博

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室(10)内相对配置的上部电极(34)和下部电极(16)之间形成处理气体的等离子体，在晶片(W)上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极(34)，用于形成等离子体的高频电源(48)；将直流电压施加到上部电极(34)的直流电源(50)和控制高频电源(48)与可变直流电源(50)的控制部(95)。控制部(95)进行控制，使得在开始从高频电源(18)供电的时刻或其后，使从可变直流电源(50)施加的电压成设定值。

公开(公告)号：CN100591190C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200610066499.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  田中秀朗 ,  藤原尚 ,  舆水地盐 ,  小岩史明 ,  小林俊之 ,  仲山阳一 ,  中村博

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室(10)内相对配置的上部电极(34)和下部电极(16)之间形成处理气体的等离子体，在晶片(W)上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极(34)，用于形成等离子体的高频电源(48)；将直流电压施加到上部电极(34)的直流电源(50)和控制高频电源(48)与可变直流电源(50)的控制部(95)。控制部(95)进行控制，使得在开始从高频电源(18)供电的时刻或其后，使从可变直流电源(50)施加的电压成设定值。