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公开(公告)号：CN101034661B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710086067.1
申请日：2007-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67276 , G05B19/41865 , G05B2219/31443 , G05B2219/32096 , G05B2219/32097 , G05B2219/45031 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , Y02P90/20
Abstract: 本发明提供一种在基板处理条件的研究中不耗费时间的基板处理装置。在基板处理装置(10)中，当在对一批量晶片(W)实施RIE处理期间进行方案的研究时，系统控制器的EC(89)作为对一批量晶片(W)实施的RIE处理的方案设定方案A，且使第一处理单元(25)的方案缓冲功能成为无效(步骤S801)，对晶片(W)实施根据方案A的RIE处理(步骤S803)，在方案A作为RIE处理的方案成为合适的情况下(步骤S805中“否”)，根据方案A的修正输入修正方案A，在第一处理单元(25)中展开该所修正的方案A(步骤S808)，对下批晶片(W)实施根据所修正的方案A的RIE处理(步骤S811)。
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公开(公告)号：CN100382239C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610067412.2
申请日：2006-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/20 , C23C14/00 , C23C16/00 , C23F4/00 , H05H1/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及的除电装置，不仅在对被处理基板的处理正常结束时，而且在对被处理基板的处理非正常结束时，也可以对被处理基板充分除电。在使吸附保持在载置台例如下部电极(120)的静电卡盘(122)的状态下，进行规定处理的被处理基板例如晶片(W)从静电卡盘(122)脱离情况下进行除电处理的基板处理装置中，判断在进行晶片(W)的除电前晶片(W)的规定处理是否正常结束，在判断为正常结束时，根据来自正常时除电条件信息存储部件的正常时除电条件信息设定除电条件，在判断为非正常结束时，根据来自非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件，根据设定的除电条件进行晶片(W)的除电处理。
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公开(公告)号：CN101046691A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091322.1
申请日：2007-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05B19/418 , G05B19/04 , H01L21/00
Abstract: 基于有关温度的条件，判定是否为了调整处理容器内的状态实施模拟处理。EC200包括对于产品基板(晶片(W))实施蚀刻处理的基板处理实施部(280)；对于模拟基板实施模拟处理的模拟处理实施部(275)；以及基于与温度相关的条件判定是否实施模拟处理的判定部(270)。判定部(270)取得有关调整PM400中设置的各PM处理容器内的气氛用的温度的信息，基于取得的温度信息判定处理容器的温度状态是否已被调整。在判定部(270)判定处理容器的温度状态已被调整的情况下，基板处理实施部(280)进行控制，使得不在模拟处理实施部(275)实施模拟处理，而是直接对产品基板实施蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN1838381A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610067412.2
申请日：2006-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/20 , C23C14/00 , C23C16/00 , C23F4/00 , H05H1/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及的除电装置，不仅在对被处理基板的处理正常结束时，而且在对被处理基板的处理非正常结束时，也可以对被处理基板充分除电。在使吸附保持在载置台例如下部电极(120)的静电卡盘(122)的状态下，进行规定处理的被处理基板例如晶片(W)从静电卡盘(122)脱离情况下进行除电处理的基板处理装置中，判断在进行晶片(W)的除电前晶片(W)的规定处理是否正常结束，在判断为正常结束时，根据来自正常时除电条件信息存储部件的正常时除电条件信息设定除电条件，在判断为非正常结束时，根据来自非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件，根据设定的除电条件进行晶片(W)的除电处理。
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公开(公告)号：CN1779906A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510117318.9
申请日：2005-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/20 , H01L21/3065 , G05B19/418
Abstract: 提供一种可以使处理效率飞跃地提高的基板处理方法。作为晶片处理的基板处理方法，在具有基板处理装置(2)、大气输送装置(3)以及负载锁定室(4)的基板处理系统(1)中执行，具有输送半导体晶片W的基板输送工序(工序S43和S49)、和对半导体晶片W进行蚀刻处理的基板处理工序(工序S44～S48)，基板输送工序和基板处理工序由多个动作构成，该基板处理方法，使构成各工序的多个动作中的至少2个动作并行地执行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101046691B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710091322.1
申请日：2007-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05B19/418 , G05B19/04 , H01L21/00
Abstract: 基于有关温度的条件，判定是否为了调整处理容器内的状态实施模拟处理。EC200包括对于产品基板(晶片(W))实施蚀刻处理的基板处理实施部(280)；对于模拟基板实施模拟处理的模拟处理实施部(275)；以及基于与温度相关的条件判定是否实施模拟处理的判定部(270)。判定部(270)取得有关调整PM400中设置的各PM处理容器内的气氛用的温度的信息，基于取得的温度信息判定处理容器的温度状态是否已被调整。在判定部(270)判定处理容器的温度状态已被调整的情况下，基板处理实施部(280)进行控制，使得不在模拟处理实施部(275)实施模拟处理，而是直接对产品基板实施蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN100388433C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN00818767.3
申请日：2000-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 利用压力检测范围不同的第一和第二压力传感器132，134检测蚀刻装置100的处理室102内的压力。压力控制器144从第一及第二压力传感器132，134的各压力数据根据处理室102内的压力选择最佳压力数据。进而，对应处理室102内的压力利用所选择的分辨率分解所选择的压力数据，求出规定的数据密度的压力数据。压力控制器144以使该压力数据跟随设定压力数据的方式控制压力调整阀130。
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公开(公告)号：CN101034661A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086067.1
申请日：2007-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67276 , G05B19/41865 , G05B2219/31443 , G05B2219/32096 , G05B2219/32097 , G05B2219/45031 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , Y02P90/20
Abstract: 本发明提供一种在基板处理条件的研究中不耗费时间的基板处理装置。在基板处理装置(10)中，当在对一批量晶片(W)实施RIE处理期间进行方案的研究时，系统控制器的EC(89)作为对一批量晶片(W)实施的RIE处理的方案设定方案A，且使第一处理单元(25)的方案缓冲功能成为无效(步骤S801)，对晶片(W)实施根据方案A的RIE处理(步骤S803)，在方案A作为RIE处理的方案成为合适的情况下(步骤S805中“否”)，根据方案A的修正输入修正方案A，在第一处理单元(25)中展开该所修正的方案A(步骤S808)，对下批晶片(W)实施根据所修正的方案A的RIE处理(步骤S811)。
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公开(公告)号：CN101030525A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710079129.6
申请日：2007-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够不从处理室内取出已中止处理的基板，对已中止处理的基板再进行最佳处理，在基板处理装置(10)中，系统控制器的EC(89)，如果检测到在第一工序单元(25)中对应于晶片W的制法的RIE处理途中发生错误(步骤S1005)，则中断第一工序单元(25)的RIE处理(步骤S1006)，在具有由操作者进行的制法修正输入时(步骤S1007是YES)，将对应于制法的修正输入来修正的制法在第一工序单元(25)中展开(步骤S1008)，在具有由操作者进行的再执行指定步骤时(步骤S1010是YES)，对晶片W执行与修正的制法的再执行指定步骤对应的RIE处理(步骤S1012)。
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公开(公告)号：CN1433566A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN00818767.3
申请日：2000-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , H01J37/32449 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 利用压力检测范围不同的第一和第二压力传感器132，134检测蚀刻装置100的处理室102内的压力。压力控制器144从第一及第二压力传感器132，134的各压力数据根据处理室102内的压力选择最佳压力数据。进而，对应处理室102内的压力利用所选择的分辨率分解所选择的压力数据，求出规定的数据密度的压力数据。压力控制器144以使该压力数据跟随设定压力数据的方式控制压力调整阀130。
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