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公开(公告)号：CN100418187C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200410031210.3
申请日：2004-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、环形部件以及等离子体处理方法，利用等离子体进行处理，当执行相互不同的多个处理时实现装置公用化，在多个装置中执行相同处理时易统一装置之间的等离子体状态，利用由绝缘材料构成的环形部件环绕处理容器内的被处理基板，在此环形部件内设置用于调整等离子体源区的电极，构成为例如在对被处理基板执行第一处理时对该电极施加第一直流电压、在执行第二处理时对该电极施加第二直流电压，此时，由于对应于执行每一处理或相同处理的各装置通过施加合适的直流电压就可统一等离子体的状态，所以可实现装置公用化，并易对等离子体状态进行调整。
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公开(公告)号：CN1516535A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310115779.3
申请日：2003-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , B01J19/02 , C23C4/10 , C23F4/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/24 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种可抑制形成为掺杂涂层的喷镀膜剥离的等离子体处理容器内部件。它是在基材(71)与喷镀膜(72)之间，由对含卤素处理气体的耐腐蚀性好的材料形成屏蔽生涂层(73)，通过树脂或溶胶凝胶法对该屏蔽性涂层(73)进行封孔处理。
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公开(公告)号：CN102192870B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110050811.9
申请日：2011-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 长池宏史
IPC: G01N15/10
CPC classification number: G01N21/00
Abstract: 本发明提供一种能够准确地测量因特定的原因产生的微粒的数量的微粒数测量方法。通过玻璃窗(24)向主排气管(16)内照射激光(25)，利用光检测器(21)接收从与该激光(25)交叉的微粒(P1、P2)产生的散射光(L1、L2)，根据所接收的该散射光来测量微粒数时，将不移动的微粒(P2)视为附着于玻璃窗(24)的污垢，从在主排气管(16)内测量得到的微粒数中排除不移动的微粒(P2)的数量。
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公开(公告)号：CN1931453B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200610151435.1
申请日：2004-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。
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公开(公告)号：CN100349043C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200510052917.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J2237/0225
Abstract: 本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括：对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内与下部电极相对配设的上部电极、检测真空处理室的内壁温度的温度传感器、检测下部电极的温度的温度传感器、检测上部电极的温度的温度传感器、与上部电极连接并且向真空处理室导入规定气体的气体导入装置、以及根据真空处理室的内壁温度、下部电极的温度、以及上部电极的温度控制该规定的温度的控制装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1931453A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610151435.1
申请日：2004-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。
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公开(公告)号：CN1661433A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052917.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J2237/0225
Abstract: 本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括：对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内与下部电极相对配设的上部电极、检测真空处理室的内壁温度的温度传感器、检测下部电极的温度的温度传感器、检测上部电极的温度的温度传感器、与上部电极连接并且向真空处理室导入规定气体的气体导入装置、以及根据真空处理室的内壁温度、下部电极的温度、以及上部电极的温度控制该规定的温度的控制装置。
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公开(公告)号：CN1606145A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410080756.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J2237/0048 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频电压施加在上下电极上生成等离子体时，以多阶段顺序施加高频电压。即，在最初步骤中，将能够等离子体点火的最小限度的高频电压施加在上下电极上，生成最小限度等离子体，然后，分阶段地增加所施加电压，生成规定的等离子体。
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公开(公告)号：CN109037126B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201810582590.1
申请日：2018-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 长池宏史
IPC: H01L21/677 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明的目的在于提供一种检测基板收纳容器的内部的污染状态的基板收纳容器、控制装置和异常探测方法。所述基板收纳容器用于收纳基板，在所述基板收纳容器的内部具有能够检测污染状态的监测器，来检测所述基板收纳容器的内部的污染状态。
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公开(公告)号：CN109037126A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810582590.1
申请日：2018-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 长池宏史
IPC: H01L21/677 , H01L21/66 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67253 , H01L21/67383 , H01L21/67389 , H01L21/67393 , H01L21/67769 , H01L21/67772 , H01L22/10
Abstract: 本发明的目的在于提供一种检测基板收纳容器的内部的污染状态的基板收纳容器、控制装置和异常探测方法。所述基板收纳容器用于收纳基板，在所述基板收纳容器的内部具有能够检测污染状态的监测器，来检测所述基板收纳容器的内部的污染状态。
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