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公开(公告)号：CN100584714C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510069374.X
申请日：2005-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能将附着在基板上的颗粒剥离及除去的基板输送机构、具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、和存储介质。作为基板输送机构的输送臂(12)具有：配置在腔室(11)的底面上，绕相对于该底面垂直的轴旋转自如的旋转台(21)；连接在该旋转台(21)上的棒状的第一腕部件(22)；连接在该第一腕部件(22)上的棒状的第二腕部件(23)；和连接在该第二腕部件(23)的另一端上的载置基板(W)的拾取器(24)；和控制拾取器(24)的温度用的温度控制装置(28)，温度控制装置(28)在拾取器(24)上形成规定的温度梯度。
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公开(公告)号：CN1696030A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510069374.X
申请日：2005-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能将附着在基板上的颗粒剥离及除去的基板输送机构、具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、和存储介质。作为基板输送机构的输送臂(12)具有：配置在腔室(1 1)的底面上，绕相对于该底面垂直的轴旋转自如的旋转台(21)；连接在该旋转台(21)上的棒状的第一腕部件(22)；连接在该第一腕部件(22)上的棒状的第二腕部件(23)；和连接在该第二腕部件(23)的另一端上的载置基板(W)的拾取器(24)；和控制拾取器(24)的温度用的温度控制装置(28)，温度控制装置(28)在拾取器(24)上形成规定的温度梯度。
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公开(公告)号：CN100349043C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200510052917.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J2237/0225
Abstract: 本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括：对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内与下部电极相对配设的上部电极、检测真空处理室的内壁温度的温度传感器、检测下部电极的温度的温度传感器、检测上部电极的温度的温度传感器、与上部电极连接并且向真空处理室导入规定气体的气体导入装置、以及根据真空处理室的内壁温度、下部电极的温度、以及上部电极的温度控制该规定的温度的控制装置。
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公开(公告)号：CN1661433A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052917.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J2237/0225
Abstract: 本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括：对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内与下部电极相对配设的上部电极、检测真空处理室的内壁温度的温度传感器、检测下部电极的温度的温度传感器、检测上部电极的温度的温度传感器、与上部电极连接并且向真空处理室导入规定气体的气体导入装置、以及根据真空处理室的内壁温度、下部电极的温度、以及上部电极的温度控制该规定的温度的控制装置。
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