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公开(公告)号：CN101303997A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810001388.1
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN1790614A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510117785.1
申请日：2005-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , G05B19/048 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够不降低处理装置的工作效率，来进行该装置的异常判定的基板处理装置的恢复方法。加工腔室(P/C)(2)具有腔室(10)，在P/C(2)的维护之后，控制部(57)实施包括将所述腔室(10)内抽成真空的抽成真空工序、设定所述腔室(10)内温度的温度设定工序、判定所述腔室(10)内有无异常的异常判定工序、和使所述腔室(10)内的气氛与规定的处理条件一致而稳定下来的时效处理工序的自动设置处理，其中，异常判定工序是将对应于所述腔室(10)内的状态变化而变化的作为装置记录的下部匹配器(19)的阻抗，与正常状态下的下部匹配器(19)的阻抗进行比较。
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公开(公告)号：CN102169811A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110032742.9
申请日：2011-01-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板加热装置和基板加热方法以及基板处理系统。该基板加热装置不用提高装置成本就能够确保基板的面内温度的均匀性和温度稳定性，并且能够高速地升温。该基板处理系统包括：能够在减压状态下保持的容器(81)；在上面具有多个基板支承销(86a)，以与上面之间设置有间隙的状态载置基板(G)的基板载置台(86)；通过基板载置台(86)对基板进行加热的加热器(87)；调整容器(81)内压力的压力调整机构(113、114、123、124)；通过控制加热器(87)的输出，控制基板载置台(86)温度的温度控制部(103)；和通过控制压力调整机构，控制容器(80)内压力的压力控制部(132)，其中，压力控制部(103)在载置台(86)载置有基板(G)时，将容器(81)内的气体压力控制为能够通过气体进行热传递的第一压力，在基板(G)的温度达到规定的温度时，将容器(81)内的气体压力控制为实质上不发生通过气体进行热传递的压力。
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公开(公告)号：CN101303998A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810001389.6
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN100375261C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410034165.7
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/6831
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111370285B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010192194.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和气体导入板。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF3气体、O2气体以及H2气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF3气体、O2气体以及H2气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。
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公开(公告)号：CN111370285A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010192194.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和气体导入板。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF3气体、O2气体以及H2气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF3气体、O2气体以及H2气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。
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公开(公告)号：CN101153407B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710141839.7
申请日：2007-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C25D11/04 , H01L21/02 , H01L21/08 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种基板处理装置用的部件的保护膜形成方法，其能够防止因保护膜的缺失而引起的颗粒的产生。首先，将表面裸露有铝基材(56)的散热板(36)连接于直流电源的阳极，浸渍于草酸溶液中，氧化散热板(36)的表面(步骤S61)，接着，将表面形成有防蚀铝保护膜(57)的散热板(36)浸渍在沸水中5～10分钟(步骤S62)。
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公开(公告)号：CN100397565C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510117785.1
申请日：2005-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , G05B19/048 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够不降低处理装置的工作效率，来进行该装置的异常判定的基板处理装置的恢复方法。加工腔室(P/C)(2)具有腔室(10)，在P/C(2)的维护之后，控制部(57)实施包括将所述腔室(10)内抽成真空的抽成真空工序、设定所述腔室(10)内温度的温度设定工序、判定所述腔室(10)内有无异常的异常判定工序、和使所述腔室(10)内的气氛与规定的处理条件一致而稳定下来的时效处理工序的自动设置处理，其中，异常判定工序是将对应于所述腔室(10)内的状态变化而变化的作为装置记录的下部匹配器(19)的阻抗，与正常状态下的下部匹配器(19)的阻抗进行比较。
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公开(公告)号：CN1540738A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410034165.7
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/6831
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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