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公开(公告)号：CN108122727B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201711216223.1
申请日：2017-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和隔热板。基板处理装置即使反复进行处理，也能够对基板均匀地实施使用了自由基的处理。工艺模块(13)具备：处理容器(28)，其收容晶圆(W)；分隔板(37)，其配置于该处理容器(28)的内部的等离子体生成空间(P)与晶圆(W)之间；隔热板(48)，其配置于分隔板(37)与晶圆(W)之间，分隔板(37)选择性地使在等离子体生成空间(P)中生成的等离子体中的自由基朝向晶圆(W)透过，隔热板(48)以与晶圆(W)相对的方式配置，隔热板(48)由金属形成，与处理容器(28)连接。
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公开(公告)号：CN107154333B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710089741.5
申请日：2017-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种基板处理装置。本发明的目的是抑制自由基的失活、实现蚀刻的均匀性。本发明提供一种基板处理装置，其通过高频的能量从气体生成等离子体，通过所生成的等离子体中的自由基在处理容器的内部对基板进行蚀刻处理，所述基板处理装置具有：高频电源，其向所述处理容器的内部供给高频的能量；气体供给源，其向所述处理容器的内部导入气体；载置台，其载置所述基板；以及分隔板，其设置在所述处理容器的内部，将所述处理容器的内部分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，该分隔板抑制离子的穿过，其中，所述分隔板以及所述处理容器的内壁表面中的至少比所述载置台靠上的部分被再结合系数为0.002以下的电介质覆盖。
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公开(公告)号：CN118841347A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410934660.0
申请日：2018-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。在基板处理装置中被使用、且与载置基板的载置台的外周空开间隔地包围该载置台的圆筒形状的内壁在下端形成有多个狭缝，在该内壁的内侧面形成有多个自其上端延伸到下端且与该狭缝连通的槽。
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公开(公告)号：CN111370285B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010192194.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和气体导入板。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF3气体、O2气体以及H2气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF3气体、O2气体以及H2气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。
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公开(公告)号：CN111370285A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010192194.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和气体导入板。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF3气体、O2气体以及H2气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF3气体、O2气体以及H2气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111033695A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053690.3
申请日：2018-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 在基板处理装置中被使用、且与载置基板的载置台的外周空开间隔地包围该载置台的圆筒形状的内壁在下端形成有多个狭缝，在该内壁的内侧面形成有多个自其上端延伸到下端且与该狭缝连通的槽。
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公开(公告)号：CN108695133B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201810268895.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF3气体、O2气体以及H2气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF3气体、O2气体以及H2气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。
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公开(公告)号：CN108695133A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810268895.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF3气体、O2气体以及H2气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF3气体、O2气体以及H2气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。
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公开(公告)号：CN108122727A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711216223.1
申请日：2017-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和隔热板。基板处理装置即使反复进行处理，也能够对基板均匀地实施使用了自由基的处理。工艺模块(13)具备：处理容器(28)，其收容晶圆(W)；分隔板(37)，其配置于该处理容器(28)的内部的等离子体生成空间(P)与晶圆(W)之间；隔热板(48)，其配置于分隔板(37)与晶圆(W)之间，分隔板(37)选择性地使在等离子体生成空间(P)中生成的等离子体中的自由基朝向晶圆(W)透过，隔热板(48)以与晶圆(W)相对的方式配置，隔热板(48)由金属形成，与处理容器(28)连接。
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公开(公告)号：CN107154333A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710089741.5
申请日：2017-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种基板处理装置。本发明的目的是抑制自由基的失活、实现蚀刻的均匀性。本发明提供一种基板处理装置，其通过高频的能量从气体生成等离子体，通过所生成的等离子体中的自由基在处理容器的内部对基板进行蚀刻处理，所述基板处理装置具有：高频电源，其向所述处理容器的内部供给高频的能量；气体供给源，其向所述处理容器的内部导入气体；载置台，其载置所述基板；以及分隔板，其设置在所述处理容器的内部，将所述处理容器的内部分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，该分隔板抑制离子的穿过，其中，所述分隔板以及所述处理容器的内壁表面中的至少比所述载置台靠上的部分被再结合系数为0.002以下的电介质覆盖。
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