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公开(公告)号：CN110416142B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910554608.1
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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公开(公告)号：CN105374725B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510484914.4
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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公开(公告)号：CN102456589A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110317784.7
申请日：2011-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/67092 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/13117 , H01L2224/16145 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/7526 , H01L2224/75283 , H01L2224/753 , H01L2224/75303 , H01L2224/75312 , H01L2224/75314 , H01L2224/755 , H01L2224/75501 , H01L2224/7565 , H01L2224/757 , H01L2224/75901 , H01L2224/75985 , H01L2224/81001 , H01L2224/81204 , H01L2224/8122 , H01L2225/06513 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032
Abstract: 本发明提供一种接合装置，高效地进行具有金属的接合部的基板彼此的温度调整，使基板接合处理生产率提高。接合装置具有在下表面形成开口的处理容器；配置在处理容器内且用于载置叠合晶圆并对叠合晶圆进行热处理的第二热处理板；在处理容器内与第二热处理板相对设置且用于向第二热处理板侧按压叠合晶圆的加压机构；在处理容器的内表面沿该处理容器的开口设置的将处理容器和第2热处理板之间气密地封闭的环状的支承台；设于第二热处理板的下方且支承台的内侧的冷却机构，冷却机构包括上表面与第二热处理板平行地设置的冷却板；与冷却板的内部相连通且用于向该冷却板的内部供给空气的连通管；使冷却板上下移动的升降机构。
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公开(公告)号：CN110416142A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910554608.1
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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公开(公告)号：CN105374725A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510484914.4
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100397565C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510117785.1
申请日：2005-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , G05B19/048 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够不降低处理装置的工作效率，来进行该装置的异常判定的基板处理装置的恢复方法。加工腔室(P/C)(2)具有腔室(10)，在P/C(2)的维护之后，控制部(57)实施包括将所述腔室(10)内抽成真空的抽成真空工序、设定所述腔室(10)内温度的温度设定工序、判定所述腔室(10)内有无异常的异常判定工序、和使所述腔室(10)内的气氛与规定的处理条件一致而稳定下来的时效处理工序的自动设置处理，其中，异常判定工序是将对应于所述腔室(10)内的状态变化而变化的作为装置记录的下部匹配器(19)的阻抗，与正常状态下的下部匹配器(19)的阻抗进行比较。
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公开(公告)号：CN102456589B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110317784.7
申请日：2011-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/67092 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/13117 , H01L2224/16145 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/7526 , H01L2224/75283 , H01L2224/753 , H01L2224/75303 , H01L2224/75312 , H01L2224/75314 , H01L2224/755 , H01L2224/75501 , H01L2224/7565 , H01L2224/757 , H01L2224/75901 , H01L2224/75985 , H01L2224/81001 , H01L2224/81204 , H01L2224/8122 , H01L2225/06513 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032
Abstract: 本发明提供一种接合装置，高效地进行具有金属的接合部的基板彼此的温度调整，使基板接合处理生产率提高。接合装置具有在下表面形成开口的处理容器；配置在处理容器内且用于载置叠合晶圆并对叠合晶圆进行热处理的第二热处理板；在处理容器内与第二热处理板相对设置且用于向第二热处理板侧按压叠合晶圆的加压机构；在处理容器的内表面沿该处理容器的开口设置的将处理容器和第2热处理板之间气密地封闭的环状的支承台；设于第二热处理板的下方且支承台的内侧的冷却机构，冷却机构包括上表面与第二热处理板平行地设置的冷却板；与冷却板的内部相连通且用于向该冷却板的内部供给空气的连通管；使冷却板上下移动的升降机构。
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公开(公告)号：CN1329961C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03806899.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的等离子体处理装置用电极(23)包括：支持部件(35)，与保持被处理基板(W)的电极(13)相对向地配置；电极板(36)，安装于支持部件(35)上，具备多个气体排出孔(36A)和与支持部件(35)相对向地开口的螺丝孔(44A)，从气体排出孔(36A)向其与电极(13)之间形成的处理空间内供给处理气体，在上述处理空间内形成等离子体；连接部件(42)，通过从支持部件(35)侧螺合于电极板(36)的螺丝孔(44A)中，将电极板(36)连接在支持部件(35)上。
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公开(公告)号：CN1790614A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510117785.1
申请日：2005-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , G05B19/048 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够不降低处理装置的工作效率，来进行该装置的异常判定的基板处理装置的恢复方法。加工腔室(P/C)(2)具有腔室(10)，在P/C(2)的维护之后，控制部(57)实施包括将所述腔室(10)内抽成真空的抽成真空工序、设定所述腔室(10)内温度的温度设定工序、判定所述腔室(10)内有无异常的异常判定工序、和使所述腔室(10)内的气氛与规定的处理条件一致而稳定下来的时效处理工序的自动设置处理，其中，异常判定工序是将对应于所述腔室(10)内的状态变化而变化的作为装置记录的下部匹配器(19)的阻抗，与正常状态下的下部匹配器(19)的阻抗进行比较。
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公开(公告)号：CN1643666A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806899.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的等离子体处理装置用电极(23)包括：支持部件(35)，与保持被处理基板(W)的电极(13)相对向地配置；电极板(36)，安装于支持部件(35)上，具备多个气体排出孔(36A)和与支持部件(35)相对向地开口的螺丝孔(44A)，从气体排出孔(36A)向其与电极(13)之间形成的处理空间内供给处理气体，在上述处理空间内形成等离子体；连接部件(42)，通过从支持部件(35)侧螺合于电极板(36)的螺丝孔(44A)中，将电极板(36)连接在支持部件(35)上。
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