公开(公告)号：CN100426471C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN03813082.3

申请日：2003-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 友安昌幸 ,  王斌 ,  田中秀树

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935

Abstract: 在本发明中，对于作为基准的等离子体体处理装置100A和与之同种类的等离子体处理装置100B，分别对利用第一设定数据进行动作时由各自的多个传感器检测的检测数据进行多变量解析，作成多变量解析模型式后，使用利用新的第二设定数据进行动作时由等离子体处理装置100A的多个传感器检测的检测数据，作成多变量解析模型式，使用该新的第二设定数据的等离子体处理装置100A的多变量解析模型式和等离子体处理装置100B的多变量解析模型式，作成与新的第二设定数据相对应的等离子体处理装置100B的多变量解析模型式。由此，即使在每个处理装置中存在处理特性差异时，也可以将对于一个处理装置而作成的模型式直接用在同种类的其它处理装置中，不需要对每个处理装置都取各种测定数据作成相应模型式。由此，可减轻模型式作成时的手续和时间。

公开(公告)号：CN100397565C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200510117785.1

申请日：2005-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古家元 ,  田中秀树 ,  大久保智也 ,  小林凉子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  G05B19/048 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够不降低处理装置的工作效率，来进行该装置的异常判定的基板处理装置的恢复方法。加工腔室(P/C)(2)具有腔室(10)，在P/C(2)的维护之后，控制部(57)实施包括将所述腔室(10)内抽成真空的抽成真空工序、设定所述腔室(10)内温度的温度设定工序、判定所述腔室(10)内有无异常的异常判定工序、和使所述腔室(10)内的气氛与规定的处理条件一致而稳定下来的时效处理工序的自动设置处理，其中，异常判定工序是将对应于所述腔室(10)内的状态变化而变化的作为装置记录的下部匹配器(19)的阻抗，与正常状态下的下部匹配器(19)的阻抗进行比较。

公开(公告)号：CN101179008A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710167538.1

申请日：2007-10-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中秀树 ,  齐藤进

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处理装置的分析方法。在处理模块(2)中，测定在腔室内零件即将更换前的导入腔室前的处理气体的发光强度(42)和通过腔室内后的处理气体的发光强度(43)，在腔室内零件刚更换后，导入腔室前的处理气体的发光强度(44)与发光强度(42)一致的情况下，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(45)，计算该发光强度(45)和发光强度(43)的变动量(47)，在对晶片(W)的等离子体处理开始后，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(48)，从该发光强度(48)之中除去所述发光强度的变动量(47)，计算真正反映腔室(10)内的状态的发光强度(49)，并由该发光强度(49)检知等离子体处理的终点。

公开(公告)号：CN1790614A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510117785.1

申请日：2005-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古家元 ,  田中秀树 ,  大久保智也 ,  小林凉子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  G05B19/048 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够不降低处理装置的工作效率，来进行该装置的异常判定的基板处理装置的恢复方法。加工腔室(P/C)(2)具有腔室(10)，在P/C(2)的维护之后，控制部(57)实施包括将所述腔室(10)内抽成真空的抽成真空工序、设定所述腔室(10)内温度的温度设定工序、判定所述腔室(10)内有无异常的异常判定工序、和使所述腔室(10)内的气氛与规定的处理条件一致而稳定下来的时效处理工序的自动设置处理，其中，异常判定工序是将对应于所述腔室(10)内的状态变化而变化的作为装置记录的下部匹配器(19)的阻抗，与正常状态下的下部匹配器(19)的阻抗进行比较。

公开(公告)号：CN100543932C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200710167538.1

申请日：2007-10-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中秀树 ,  齐藤进

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处理装置的分析方法。在处理模块(2)中，测定在腔室内零件即将更换前的导入腔室前的处理气体的发光强度(42)和通过腔室内后的处理气体的发光强度(43)，在腔室内零件刚更换后，导入腔室前的处理气体的发光强度(44)与发光强度(42)一致的情况下，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(45)，计算该发光强度(45)和发光强度(43)的变动量(47)，在对晶片(W)的等离子体处理开始后，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(48)，从该发光强度(48)之中除去所述发光强度的变动量(47)，计算真正反映腔室(10)内的状态的发光强度(49)，并由该发光强度(49)检知等离子体处理的终点。

公开(公告)号：CN1659690A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813082.3

申请日：2003-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 友安昌幸 ,  王斌 ,  田中秀树

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935

Abstract: 在本发明中，对于作为基准的等离子体处理装置100A和与之同种类的等离子体处理装置100B，分别对利用第一设定数据进行动作时由各自的多个传感器检测的检测数据进行多变量解析，作成多变量解析模型式后，使用利用新的第二设定数据进行动作时由等离子体处理装置100A的多个传感器检测的检测数据，作成多变量解析模型式，使用该新的第二设定数据的等离子体处理装置100A的多变量解析模型式和等离子体处理装置100B的多变量解析模型式，作成与新的第二设定数据相对应的等离子体处理装置100B的多变量解析模型式。由此，即使在每个处理装置中存在处理特性差异时，也可以将对于一个处理装置而作成的模型式直接用在同种类的其它处理装置中，不需要对每个处理装置都取各种测定数据作成相应模型式。由此，可减轻模型式作成时的手续和时间。