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公开(公告)号：CN100426471C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN03813082.3
申请日：2003-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 在本发明中，对于作为基准的等离子体体处理装置100A和与之同种类的等离子体处理装置100B，分别对利用第一设定数据进行动作时由各自的多个传感器检测的检测数据进行多变量解析，作成多变量解析模型式后，使用利用新的第二设定数据进行动作时由等离子体处理装置100A的多个传感器检测的检测数据，作成多变量解析模型式，使用该新的第二设定数据的等离子体处理装置100A的多变量解析模型式和等离子体处理装置100B的多变量解析模型式，作成与新的第二设定数据相对应的等离子体处理装置100B的多变量解析模型式。由此，即使在每个处理装置中存在处理特性差异时，也可以将对于一个处理装置而作成的模型式直接用在同种类的其它处理装置中，不需要对每个处理装置都取各种测定数据作成相应模型式。由此，可减轻模型式作成时的手续和时间。
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公开(公告)号：CN1261984C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200310118222.5
申请日：2003-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32935 , G01N21/73 , H01J37/32972
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，可提高判断装置的运转状态、被处理体的处理状态时的精度。在对晶片进行等离子体处理时，利用光学测量器(120)取得从等离子体发出的光的光谱作为光学数据。然后，分别求从存储多个发光种的发光光谱作为基准数据的数据库得到的各发光种的基准数据与所取得的所述光学数据的内积，将各内积值作为各发光种的定量数据。接着，监视各发光种的定量数据，根据各发光种的定量数据的变化来判断等离子体处理装置的运转状态、晶片的处理状态。由此，根据由宽范围的波长带构成的等离子体的发光光谱，可以判断装置的运转状态、晶片的处理状态。
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公开(公告)号：CN1608315A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02826174.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 王斌
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：检测反映使用高频功率处理被处理体时的等离子体状态的等离子体反映参数的单元；设定控制所述等离子体状态用的多个控制参数的单元；存储根据所述等离子体反映参数预测所述多个控制参数和/或多个装置状态参数的模式的单元；使用所述模式，通过将处理被处理体时所得到的所述等离子体反映参数应用于所述模式而预测出处理时的各控制参数和/或各装置状态参数的单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100552889C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN02826174.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 王斌
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：检测反映使用高频功率处理被处理体时的等离子体状态的等离子体反映参数的单元；设定控制所述等离子体状态用的多个控制参数的单元；存储根据所述等离子体反映参数预测所述多个控制参数和/或多个装置状态参数的模式的单元；使用所述模式，通过将处理被处理体时所得到的所述等离子体反映参数应用于所述模式而预测出处理时的各控制参数和/或各装置状态参数的单元。
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公开(公告)号：CN100355040C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03805861.8
申请日：2003-03-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67276 , H01L21/67253
Abstract: 在现有的分析数据中，作为老化结束的判断基准的变化因老化而发生变化，即难于辨别是基于处理容器内的状态变化而变化，还是基于各个伪晶片间的温度变化而变化，进而难于判断老化是否结束。因此，本发明的等离子体处理方法，向等离子体处理装置(1)的处理容器(2)内提供伪晶片W，检测进行老化时的老化结束。其具有：向处理容器(2)内供给伪晶片W，在冷却处理容器(2)内之后，使用在向处理容器(2)内再次供给多个伪晶片W时得到的多个测量数据，来进行多变量分析，形成预测老化结束的预测式的步骤；基于该预测式，检测进行老化时的老化结束的步骤。
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公开(公告)号：CN1659690A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813082.3
申请日：2003-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 在本发明中，对于作为基准的等离子体处理装置100A和与之同种类的等离子体处理装置100B，分别对利用第一设定数据进行动作时由各自的多个传感器检测的检测数据进行多变量解析，作成多变量解析模型式后，使用利用新的第二设定数据进行动作时由等离子体处理装置100A的多个传感器检测的检测数据，作成多变量解析模型式，使用该新的第二设定数据的等离子体处理装置100A的多变量解析模型式和等离子体处理装置100B的多变量解析模型式，作成与新的第二设定数据相对应的等离子体处理装置100B的多变量解析模型式。由此，即使在每个处理装置中存在处理特性差异时，也可以将对于一个处理装置而作成的模型式直接用在同种类的其它处理装置中，不需要对每个处理装置都取各种测定数据作成相应模型式。由此，可减轻模型式作成时的手续和时间。
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公开(公告)号：CN1643664A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03805861.8
申请日：2003-03-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67276 , H01L21/67253
Abstract: 在现有的分析数据中，作为老化结束的判断基准的变化因老化而发生变化，即难于辨别是基于处理容器内的状态变化而变化，还是基于各个伪晶片间的温度变化而变化，进而难于判断老化是否结束。因此，本发明的等离子体处理方法，向等离子体处理装置(1)的处理容器(2)内提供伪晶片W，检测进行老化时的老化结束。其具有：向处理容器(2)内供给伪晶片W，在冷却处理容器(2)内之后，使用在向处理容器(2)内再次供给多个伪晶片W时得到的多个测量数据，来进行多变量分析，形成预测老化结束的预测式的步骤；基于该预测式，检测进行老化时的老化结束的步骤。
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公开(公告)号：CN1505113A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118222.5
申请日：2003-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32935 , G01N21/73 , H01J37/32972
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，可提高判断装置的运转状态、被处理体的处理状态时的精度。在对晶片进行等离子体处理时，利用光学测量器(120)取得从等离子体发出的光的光谱作为光学数据。然后，使用从存储多个发光种的发光光谱作为基准数据的数据库(206)中发出的各发光种的基准数据，由所取得的光学数据求出各发光种的定量数据。接着，监视各发光种的定量数据，根据各发光种的定量数据的变化来判断等离子体处理装置的运转状态、晶片的处理状态。由此，根据由宽范围的波长带构成的等离子体的发光光谱，可以判断装置的运转状态、晶片的处理状态。
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