公开(公告)号：CN1505113A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310118222.5

申请日：2003-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 王斌 ,  三村裕一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32935 ,  G01N21/73 ,  H01J37/32972

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，可提高判断装置的运转状态、被处理体的处理状态时的精度。在对晶片进行等离子体处理时，利用光学测量器(120)取得从等离子体发出的光的光谱作为光学数据。然后，使用从存储多个发光种的发光光谱作为基准数据的数据库(206)中发出的各发光种的基准数据，由所取得的光学数据求出各发光种的定量数据。接着，监视各发光种的定量数据，根据各发光种的定量数据的变化来判断等离子体处理装置的运转状态、晶片的处理状态。由此，根据由宽范围的波长带构成的等离子体的发光光谱，可以判断装置的运转状态、晶片的处理状态。

公开(公告)号：CN1261984C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200310118222.5

申请日：2003-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 王斌 ,  三村裕一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32935 ,  G01N21/73 ,  H01J37/32972

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，可提高判断装置的运转状态、被处理体的处理状态时的精度。在对晶片进行等离子体处理时，利用光学测量器(120)取得从等离子体发出的光的光谱作为光学数据。然后，分别求从存储多个发光种的发光光谱作为基准数据的数据库得到的各发光种的基准数据与所取得的所述光学数据的内积，将各内积值作为各发光种的定量数据。接着，监视各发光种的定量数据，根据各发光种的定量数据的变化来判断等离子体处理装置的运转状态、晶片的处理状态。由此，根据由宽范围的波长带构成的等离子体的发光光谱，可以判断装置的运转状态、晶片的处理状态。