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公开(公告)号：CN114556537B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080070229.6
申请日：2020-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的接合系统(1)具备接合装置(41)、检查装置(80)以及控制部(70)。接合装置通过将第一基板(W1)与第二基板(W2)接合来形成重合基板(T)。检查装置进行重合基板的检查。控制部控制检查装置。另外，控制部具备测定控制部(71a)、比较部(71c)以及再测定控制部(71e)。测定控制部使检查装置以第一测定点数量进行重合基板的测定。比较部将包括根据测定的结果导出的重合基板中的第一基板与第二基板之间的偏移量的检查结果(72a)与参考(72b)进行比较。再测定控制部基于比较部的比较结果，使检查装置以比第一测定点数量多的第二测定点数量进行重合基板的再测定。
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公开(公告)号：CN110416142A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910554608.1
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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公开(公告)号：CN105374725A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510484914.4
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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公开(公告)号：CN114258482A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202080059026.7
申请日：2020-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的检查装置(80)的自我诊断方法包括进行配置的工序、进行照射的工序、接受光的工序以及判定光量的异常的工序。进行配置的工序通过使保持重合基板(T)的外周部并设置有具有使光衰减的衰减构件(720)的诊断部(700)的保持部(400)移动，来将衰减构件配置于向重合基板照射光的照明部(610、620)与拍摄重合基板的摄像部(51、520)之间。进行照射的工序在进行配置的工序之后，从照明部以设定光量照射光。接受光的工序在进行照射的工序之后，使用摄像部接受从照明部照射出并透过了衰减构件的光。判定光量的异常的工序在接受光的工序之后，基于由摄像部接受到的光的受光量来判定从照明部照射出的光的光量的异常。
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公开(公告)号：CN111989763A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026272.X
申请日：2019-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的一个方式的测定方法包括测定位移(A1)的工序、将摄像部(20)配置于能够拍摄测定标记(M1)的位置的工序以及拍摄测定标记(M1)的工序。在测定位移(A1)的工序中，测定将两张基板接合而成的重合基板的、配置有用于测定位置偏离的测定标记(M1)的部位处的靠摄像部(20)侧表面的位移(A1)，所述测定标记(M1)设置于所述重合基板的内部。在拍摄测定标记(M1)的工序中，利用摄像部(20)，以一边将预先基于位移(A1)设定的焦点位置作为基准使焦点位置前后移动一边进行对焦的方式来拍摄测定标记(M1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111989763B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201980026272.X
申请日：2019-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的一个方式的测定方法包括测定位移(A1)的工序、将摄像部(20)配置于能够拍摄测定标记(M1)的位置的工序以及拍摄测定标记(M1)的工序。在测定位移(A1)的工序中，测定将两张基板接合而成的重合基板的、配置有用于测定位置偏离的测定标记(M1)的部位处的靠摄像部(20)侧表面的位移(A1)，所述测定标记(M1)设置于所述重合基板的内部。在拍摄测定标记(M1)的工序中，利用摄像部(20)，以一边将预先基于位移(A1)设定的焦点位置作为基准使焦点位置前后移动一边进行对焦的方式来拍摄测定标记(M1)。
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公开(公告)号：CN110416142B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910554608.1
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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公开(公告)号：CN114556537A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080070229.6
申请日：2020-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的接合系统(1)具备接合装置(41)、检查装置(80)以及控制部(70)。接合装置通过将第一基板(W1)与第二基板(W2)接合来形成重合基板(T)。检查装置进行重合基板的检查。控制部控制检查装置。另外，控制部具备测定控制部(71a)、比较部(71c)以及再测定控制部(71e)。测定控制部使检查装置以第一测定点数量进行重合基板的测定。比较部将包括根据测定的结果导出的重合基板中的第一基板与第二基板之间的偏移量的检查结果(72a)与参考(72b)进行比较。再测定控制部基于比较部的比较结果，使检查装置以比第一测定点数量多的第二测定点数量进行重合基板的再测定。
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公开(公告)号：CN105374725B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510484914.4
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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公开(公告)号：CN101515120A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910007671.X
申请日：2009-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其是在溶解光致抗蚀剂图案而形成所希望的抗蚀剂图案的回流处理中，能够提高生产效率，降低成本的基板处理方法。在溶解在基板(G)上形成的光致抗蚀剂图案(206)，形成新的光致抗蚀剂图案的基板处理方法中实行以下步骤：将作为底膜的蚀刻掩模使用的上述光致抗蚀剂图案(206)在纯水(W)中暴露规定时间的步骤；向上述基板(G)上吹付空气，除去上述纯水(W)的步骤；和将上述光致抗蚀剂图案(206)暴露于溶剂气氛中进行溶解，对规定区域进行掩模的步骤。
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