公开(公告)号：CN101661871B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910129116.4

申请日：2009-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 小林聪树 ,  杉山正树 ,  加藤充男 ,  广江昭彦 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法。微波等离子体处理装置(10)包括：处理容器(100)；在处理容器内设置的、载置基板(G)的基座(105)；在设置在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P1～P3)处与基座接触的3根供电棒(B1～B3)；和与3根供电棒(B1～B3)连接，且经3根供电棒(B1～B3)从3个以上的位置(P1～P3)向基座(105)供给高频电力的高频电源(130)。在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P)处3根供电棒(B1～B3)与基座(105)接触。高频电源(130)与3根供电棒(B1～B3)连接，将从高频电源(130)输出的高频电力经3根供电棒(B)从3个位置(P1～P3)供给到基座(105)。

公开(公告)号：CN101661871A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910129116.4

申请日：2009-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 小林聪树 ,  杉山正树 ,  加藤充男 ,  广江昭彦 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法。微波等离子体处理装置(10)包括：处理容器(100)；在处理容器内设置的、载置基板(G)的基座(105)；在设置在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P1～P3)处与基座接触的3根供电棒(B1～B3)；和与3根供电棒(B1～B3)连接，且经3根供电棒(B1～B3)从3个以上的位置(P1～P3)向基座(105)供给高频电力的高频电源(130)。在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P)处3根供电棒(B1～B3)与基座(105)接触。高频电源(130)与3根供电棒(B1～B3)连接，将从高频电源(130)输出的高频电力经3根供电棒(B)从3个位置(P1～P3)供给到基座(105)。

公开(公告)号：CN111261485B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201911201792.8

申请日：2019-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中孝幸 ,  杉山正树 ,  岛村贵春 ,  大森贵史 ,  南雅人

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种即使使用高腐蚀性的处理气体也能够抑制腐蚀的喷头和气体处理装置。一种喷头，其在对基板实施气体处理的气体处理装置中向配置基板的腔室内供给腐蚀性的处理气体，具备：基座构件；喷淋板，其具有喷出处理气体的多个气体喷出孔；以及气体扩散空间，其设置于基座构件与喷淋板之间的一部分，被导入处理气体，并与多个气体喷出孔连通，基座构件的基材和喷淋板的基材由金属构成，基座构件的面对气体扩散空间的部分以及喷淋板的面对气体扩散空间和气体喷出孔的部分由耐蚀性金属材料或耐蚀性覆膜覆盖。

公开(公告)号：CN102169811A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110032742.9

申请日：2011-01-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大久保智也 ,  杉山正树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板加热装置和基板加热方法以及基板处理系统。该基板加热装置不用提高装置成本就能够确保基板的面内温度的均匀性和温度稳定性，并且能够高速地升温。该基板处理系统包括：能够在减压状态下保持的容器(81)；在上面具有多个基板支承销(86a)，以与上面之间设置有间隙的状态载置基板(G)的基板载置台(86)；通过基板载置台(86)对基板进行加热的加热器(87)；调整容器(81)内压力的压力调整机构(113、114、123、124)；通过控制加热器(87)的输出，控制基板载置台(86)温度的温度控制部(103)；和通过控制压力调整机构，控制容器(80)内压力的压力控制部(132)，其中，压力控制部(103)在载置台(86)载置有基板(G)时，将容器(81)内的气体压力控制为能够通过气体进行热传递的第一压力，在基板(G)的温度达到规定的温度时，将容器(81)内的气体压力控制为实质上不发生通过气体进行热传递的压力。

公开(公告)号：CN101459054B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200810172718.3

申请日：2008-11-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林聪树 ,  杉山正树

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/04 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/20

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够对覆盖基板的外周缘部分的掩模进行准确的定位。在等离子体处理装置(1)的处理容器(10)内具有：在非等离子体处理时基台(12)下降到待机位置、在等离子体处理时基台(12)上升到处理位置的升降机构(14)；在待机位置和处理位置之间以装卸自如的方式保持覆盖基板(G)的外周缘部分的掩模(31)的保持部件(30)；在基台(12)上对掩模(31)进行定位的定位机构，掩模(31)没有被保持部件(30)定位，并且，能够在水平方向上自由移动地被保持，在基台(12)从待机位置上升到处理位置时，掩模(31)被从保持部件(30)过渡到基台(12)上，并且，在基台(12)上掩模(31)通过定位机构定位。

公开(公告)号：CN111261485A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911201792.8

申请日：2019-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中孝幸 ,  杉山正树 ,  岛村贵春 ,  大森贵史 ,  南雅人

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种即使使用高腐蚀性的处理气体也能够抑制腐蚀的喷头和气体处理装置。一种喷头，其在对基板实施气体处理的气体处理装置中向配置基板的腔室内供给腐蚀性的处理气体，具备：基座构件；喷淋板，其具有喷出处理气体的多个气体喷出孔；以及气体扩散空间，其设置于基座构件与喷淋板之间的一部分，被导入处理气体，并与多个气体喷出孔连通，基座构件的基材和喷淋板的基材由金属构成，基座构件的面对气体扩散空间的部分以及喷淋板的面对气体扩散空间和气体喷出孔的部分由耐蚀性金属材料或耐蚀性覆膜覆盖。

公开(公告)号：CN101459054A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810172718.3

申请日：2008-11-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林聪树 ,  杉山正树

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/04 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/20

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够对覆盖基板的外周缘部分的掩模进行准确的定位。在等离子体处理装置(1)的处理容器(10)内具有：在非等离子体处理时基台(12)下降到待机位置、在等离子体处理时基台(12)上升到处理位置的升降机构(14)；在待机位置和处理位置之间以装卸自如的方式保持覆盖基板(G)的外周缘部分的掩模(31)的保持部件(30)；在基台(12)上对掩模(31)进行定位的定位机构，掩模(31)没有被保持部件(30)定位，并且，能够在水平方向上自由移动地被保持，在基台(12)从待机位置上升到处理位置时，掩模(31)被从保持部件(30)过渡到基台(12)上，并且，在基台(12)上掩模(31)通过定位机构定位。

公开(公告)号：CN3309174D

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN02345383.4

申请日：2002-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 岛津知久 ,  杉山正树

Abstract: 立体图中的B部位是本外观设计的设计要