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    基板处理装置和基板处理方法
    1.
    发明授权
    基板处理装置和基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN105529289B

    公开(公告)日：2018-09-07

    申请号：CN201510685548.9

    申请日：2015-10-20

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

    IPC: H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

    Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

    基板处理装置和基板处理方法
    3.
    发明公开
    基板处理装置和基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN108878328A

    公开(公告)日：2018-11-23

    申请号：CN201810744557.4

    申请日：2015-07-23

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 浅川雄二 ,  绿川洋平 ,  户田聪 ,  高桥宏幸

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

    CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

    Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在将被处理基板载置在载置台上并利用处理气体来进行基板处理时能进一步确保处理均匀性。用于在真空气氛下利用处理气体对作为被处理基板的晶圆(W)实施规定的处理的基板处理装置(5)包括：腔室(40)，其被保持为真空气氛，用于容纳晶圆(W)；基板载置台(41)，其用于在腔室(40)内载置晶圆(W)；气体导入构件(42)，其用于向腔室(40)内导入含有处理气体的气体；分隔壁构件(44)，其以能够进行升降的方式设置，用于形成分隔壁，该分隔壁在基板载置台(41)的上方的包括晶圆(W)的区域中限定处理空间(S)；以及升降机构(45)，其用于使分隔壁构件(44)进行升降。

    基板处理装置和基板处理方法
    6.
    发明授权
    基板处理装置和基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN109244004B

    公开(公告)日：2022-04-15

    申请号：CN201811000665.7

    申请日：2015-10-20

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

    Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

    基板处理方法和基板处理装置
    7.
    发明授权
    基板处理方法和基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN107275184B

    公开(公告)日：2021-03-12

    申请号：CN201710209577.7

    申请日：2017-03-31

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 荻原智明 ,  高桥宏幸 ,  阿部拓也 ,  富田正彦 ,  岩下伸也

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

    Abstract: 供给一种能够提高氧化膜去除的处理效率的基板处理方法和基板处理装置。氧化膜去除处理具有：COR工序，通过对收纳在腔室(25)的内部的晶圆(W)供给氟化氢气体和氨气，来使硅氧化膜(57)变性为反应生成物；以及PHT工序，通过停止向腔室(25)的内部供给氟化氢气体，来使反应生成物升华从而将反应生成物从晶圆(W)去除，其中，通过向腔室(25)的内部供给非活性气体，来使PHT工序中的腔室(25)的内部的压力比COR工序中的腔室(25)的内部的压力高。

    基板处理方法和基板处理装置
    8.
    发明公开
    基板处理方法和基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN108352309A

    公开(公告)日：2018-07-31

    申请号：CN201680064463.1

    申请日：2016-10-14

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 富田正彦 ,  高桥宏幸

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/3065

    Abstract: 提供一种能够获得平坦的被处理膜的基板处理方法。使HF气体的分子吸附于被实施了氧化膜去除处理的晶圆(W)的槽的角部残留的角部SiO2层(49)，排出多余的HF气体，朝向吸附有HF气体的分子的角部SiO2层(49)供给NH3气体，使角部SiO2层(49)、HF气体以及NH3气体发生反应来生成AFS(48)，使AFS(48)升华来去除该AFS(48)。

    蚀刻方法和蚀刻装置
    9.
    发明公开
    蚀刻方法和蚀刻装置 有权 复审申请

    公开(公告)号：CN105244270A

    公开(公告)日：2016-01-13

    申请号：CN201510379150.2

    申请日：2015-07-01

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 户田聪 ,  成嶋健索 ,  高桥宏幸

    IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

    Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]在对被壁部(62)划分了蚀刻区域的SiO2层(61)蚀刻至到达下层之前的中途阶段为止时，改善粗糙度与微负载。[解决手段]对载置于处理容器(1)的晶圆W，间歇地供给预先混合了HF气体与NH3气体的混合气体。通过间歇地供给混合气体，由混合气体与SiO2的反应产物形成的保护膜在停止供给混合气体的期间通过真空排气而升华(挥发)。因此，无论图案的疏密，蚀刻速度都均匀并改善了微负载。另外，通过预先混合HF气体与NH3气体而供给至晶圆W，可以抑制附着于晶圆W的表面的HF浓度的偏差，改善粗糙度并且谋求进一步改善微负载。

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