公开(公告)号：CN1961405A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200480038051.8

申请日：2004-11-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 友安昌幸 ,  梅里特·拉尼·芬克 ,  凯文·奥古斯丁·品托 ,  小田桐正弥 ,  陈廉明 ,  山下朝夫 ,  岩见显 ,  高桥宏幸

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: 提供了一种用于化学氧化物去除(COR)的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此相互耦合。第一处理室包括化学处理室，其提供被控温的室以及用于支持进行化学处理的衬底的被单独控温的衬底支撑物。衬底在包括表面温度和气体压强的被控条件下，暴露给例如HF/NH3的气体化学物质。第二处理室包括提供了被控温的室的热处理室，其与化学处理室热绝缘。热处理室提供了用于控制衬底温度的衬底支撑物，以对衬底上经化学处理过的表面进行热处理。

公开(公告)号：CN101023522A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031573.X

申请日：2005-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下朝夫 ,  梅里特·拉尼·芬克 ,  丹尼尔·帕格

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/32139 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 该方法包括一种用于刻蚀处理的方法，其允许对隔离和嵌套结构/特征之间的偏置进行调节，对其中隔离结构/特征需要小于嵌套结构/特征并且嵌套结构/特征相对于隔离结构/特征需要被减小的过程进行校正，同时允许对修饰进行临界控制。

公开(公告)号：CN1961405B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200480038051.8

申请日：2004-11-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 友安昌幸 ,  梅里特·拉尼·芬克 ,  凯文·奥古斯丁·品托 ,  小田桐正弥 ,  陈廉明 ,  山下朝夫 ,  岩见显 ,  高桥宏幸

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: 提供了一种用于化学氧化物去除(COR)的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此相互耦合。第一处理室包括化学处理室，其提供被控温的室以及用于支持进行化学处理的衬底的被单独控温的衬底支撑物。衬底在包括表面温度和气体压强的被控条件下，暴露给例如HF/NH3的气体化学物质。第二处理室包括提供了被控温的室的热处理室，其与化学处理室热绝缘。热处理室提供了用于控制衬底温度的衬底支撑物，以对衬底上经化学处理过的表面进行热处理。

公开(公告)号：CN101023522B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580031573.X

申请日：2005-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下朝夫 ,  梅里特·拉尼·芬克 ,  丹尼尔·帕格

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/32139 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 该方法包括一种用于刻蚀处理的方法，其允许对隔离和嵌套结构/特征之间的偏置进行调节，对其中隔离结构/特征需要小于嵌套结构/特征并且嵌套结构/特征相对于隔离结构/特征需要被减小的过程进行校正，同时允许对修饰进行临界控制。