公开(公告)号：CN101410941A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011322.4

申请日：2007-02-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 塚本雄二 ,  工藤恭久 ,  托马斯·哈梅林

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/6875

Abstract: 本发明描述了用于去除光刻胶和在刻蚀工艺期间形成的刻蚀残余物的刻蚀后处理系统。例如，刻蚀残余物可以包括含卤素材料。刻蚀后处理系统包括真空室、耦合到真空室的自由基产生系统、耦合到自由基参数系统并被配置来将反应自由基分配在衬底上方的自由基气体分配系统、以及耦合到真空室并被配置来支撑衬底的高温支座。高温支座包括被配置来最小化衬底滑动的刻槽上表面。

公开(公告)号：CN100511576C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200480038035.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 亚瑟·H·小拉弗拉弥 ,  托马斯·哈梅林 ,  杰伊·华莱士

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C25D11/02 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供了一种化学氧化物去除(COR)处理系统，其中所述COR系统包括第一处理室和第二处理室。所述第一处理室包括化学处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。所述第二处理室包括热处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。

公开(公告)号：CN100452306C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200480036209.8

申请日：2004-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 托马斯·哈梅林

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H05K7/20 ,  H05B3/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/466

Abstract: 一种用于支撑衬底(30)的衬底保持器(20)。加热部件(50)与支撑表面相邻定位，并定位在支撑表面和冷却部件(60)之间。流体间隙定位在冷却部件和加热部件之间，流体间隙构造为接收流体以增大冷却部件和加热部件之间的热传导率。钎焊材料布置在冷却部件和加热部件之间，钎焊材料与流体间隙相邻布置。

公开(公告)号：CN102105312A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980129301.1

申请日：2009-07-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰·R·华莱士 ,  托马斯·哈梅林 ,  高桥宏幸 ,  亚瑟·H·拉弗拉弥 ,  格雷戈里·R·惠曼

IPC: B44C1/22

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742

Abstract: 描述了一种用于对多个衬底进行处理的、具有化学处置系统和热处置系统的高产量处理系统。化学处置系统被构造成在干法非等离子体环境下对多个衬底进行化学处置。热处置系统被构造成对在化学处置系统中受到化学处置的多个衬底进行热处置。

公开(公告)号：CN1898772A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200480038035.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 亚瑟·H·小拉弗拉弥 ,  托马斯·哈梅林 ,  杰伊·华莱士

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C25D11/02 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供了一种化学氧化物去除(COR)处理系统，其中所述COR系统包括第一处理室和第二处理室。所述第一处理室包括化学处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。所述第二处理室包括热处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。

公开(公告)号：CN102105312B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200980129301.1

申请日：2009-07-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰·R·华莱士 ,  托马斯·哈梅林 ,  高桥宏幸 ,  亚瑟·H·拉弗拉弥 ,  格雷戈里·R·惠曼

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742

Abstract: 描述了一种用于对多个衬底进行处理的、具有化学处置系统和热处置系统的高产量处理系统。化学处置系统被构造成在干法非等离子体环境下对多个衬底进行化学处置。热处置系统被构造成对在化学处置系统中受到化学处置的多个衬底进行热处置。

公开(公告)号：CN101410941B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200780011322.4

申请日：2007-02-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 塚本雄二 ,  工藤恭久 ,  托马斯·哈梅林

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/6875

Abstract: 本发明描述了用于去除光刻胶和在刻蚀工艺期间形成的刻蚀残余物的刻蚀后处理系统。例如，刻蚀残余物可以包括含卤素材料。刻蚀后处理系统包括真空室、耦合到真空室的自由基产生系统、耦合到自由基参数系统并被配置来将反应自由基分配在衬底上方的自由基气体分配系统、以及耦合到真空室并被配置来支撑衬底的高温支座。高温支座包括被配置来最小化衬底滑动的刻槽上表面。

公开(公告)号：CN1890783A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480036209.8

申请日：2004-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 托马斯·哈梅林

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H05K7/20 ,  H05B3/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/466

Abstract: 一种用于支撑衬底(30)的衬底保持器(20)。加热部件(50)与支撑表面相邻定位，并定位在支撑表面和冷却部件(60)之间。流体间隙定位在冷却部件和加热部件之间，流体间隙构造为接收流体以增大冷却部件和加热部件之间的热传导率。钎焊材料布置在冷却部件和加热部件之间，钎焊材料与流体间隙相邻布置。