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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101460655A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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公开(公告)号：CN1898772A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038035.9
申请日：2004-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 亚瑟·H·小拉弗拉弥 , 托马斯·哈梅林 , 杰伊·华莱士
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67748 , C25D11/02 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供了一种化学氧化物去除(COR)处理系统，其中所述COR系统包括第一处理室和第二处理室。所述第一处理室包括化学处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。所述第二处理室包括热处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。
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公开(公告)号：CN101460655B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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公开(公告)号：CN100511576C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200480038035.9
申请日：2004-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 亚瑟·H·小拉弗拉弥 , 托马斯·哈梅林 , 杰伊·华莱士
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67748 , C25D11/02 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供了一种化学氧化物去除(COR)处理系统，其中所述COR系统包括第一处理室和第二处理室。所述第一处理室包括化学处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。所述第二处理室包括热处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。
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公开(公告)号：CN1853254A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480026969.0
申请日：2004-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 史蒂文·T·芬克 , 埃里克·J·施特朗 , 亚瑟·H·小拉弗拉弥 , 杰伊·华莱士 , 桑德拉·海岚德
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32834 , H01L21/67069
Abstract: 一种挡板组件，设置为耦合到等离子为体处理系统中的衬底支架，该组件包括挡板(64)，挡板具有一个或更多个开口，以允许通过其的气体通道，其中挡板耦合到衬底支架便于等离子体处理系统中挡板的自动定心。安装在衬底支架中的定心环(100)可包括设置为与挡板上的配合特征相耦合(68)的定心特征。在等离子体处理系统初始装配之后，挡板可以被替换并在等离子体处理系统中定心而无需对衬底支架进行拆卸和重新组装。
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