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公开(公告)号：CN117751433A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202280050973.9
申请日：2022-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：提供具备包含含硅层的蚀刻对象层和包含金属的掩模的基板，所述掩模设置在蚀刻对象层上，具有由侧壁规定的开口；供给包含含金属气体的处理气体；以及从处理气体生成等离子体，在掩模的上部和侧壁形成含有金属的保护层并且经由开口对蚀刻对象层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN104303273B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380024888.6
申请日：2013-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 浦川理史
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3081 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67069
Abstract: 在一实施方式中，提供一种用于蚀刻含有多晶硅的被蚀刻层的方法。该方法包括：(a)准备被处理基体的工序，该被处理基体具有被蚀刻层和设在该被蚀刻层上的掩模；(b)使用该掩模蚀刻被蚀刻层的工序。掩模具有：第1掩模部，其由多晶硅构成；第2掩模部，其由氧化硅构成，且介于该第1掩模部与所述被蚀刻层之间。在蚀刻被蚀刻层的工序中，向收纳有被处理基体的处理容器内供给用于蚀刻被蚀刻层的第1气体、用于除去已附着于掩模的沉积物的第2气体和用于保护第1掩模部的第3气体，在处理容器内生成等离子体。
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公开(公告)号：CN101460655A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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公开(公告)号：CN104303273A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380024888.6
申请日：2013-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 浦川理史
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3081 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67069
Abstract: 在一实施方式中，提供一种用于蚀刻含有多晶硅的被蚀刻层的方法。该方法包括：(a)准备被处理基体的工序，该被处理基体具有被蚀刻层和设在该被蚀刻层上的掩模；(b)使用该掩模蚀刻被蚀刻层的工序。掩模具有：第1掩模部，其由多晶硅构成；第2掩模部，其由氧化硅构成，且介于该第1掩模部与所述被蚀刻层之间。在蚀刻被蚀刻层的工序中，向收纳有被处理基体的处理容器内供给用于蚀刻被蚀刻层的第1气体、用于除去已附着于掩模的沉积物的第2气体和用于保护第1掩模部的第3气体，在处理容器内生成等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101511969A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033566.2
申请日：2007-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 路易斯·艾斯德罗·费尔南德茨 , 浦川理史
CPC classification number: H01L21/31122 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32697 , H01J2237/334
Abstract: 描述了一种利用基于三氯化硼(BCl3)的处理化学组分刻蚀含铪层的方法和系统。具有诸如二氧化铪(HfO2)层之类的含铪层的衬底受到包括BCl3和添加气体的干法刻蚀处理，添加气体包括：含氧气体，例如O2；或者含氮气体，例如N2；或者烃气体(CxHy)，例如CH4；或者其中两者或更多者的组合。
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公开(公告)号：CN117133620A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310566924.7
申请日：2023-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供在更换基片处理装置内的环部件时，能够高精度地对环部件进行对位的基片处理装置和环部件的对位方法。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；被收纳在等离子体处理腔室内的支承台；设置在基片的周围的内侧边缘环；设置在内侧边缘环的周围的外侧边缘环，其具有第一对位部，在俯视时内侧边缘环的外周部与外侧边缘环的内周部重叠；外侧边缘环用的静电卡盘，其配置在支承台的与外侧边缘环相对的位置；和升降器，其能够使内侧边缘环和/或外侧边缘环上下移动，基片处理装置能够在驱动外侧边缘环用的静电卡盘吸附了外侧边缘环的状态下，利用第一对位部将内侧边缘环与外侧边缘环进行对位。
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公开(公告)号：CN101460655B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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公开(公告)号：CN119522474A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380052289.9
申请日：2023-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 在公开的等离子体处理装置中，控制部带来循环的重复。循环包括以下工序：从高频电源供给源高频电力的脉冲以在腔室内从气体生成等离子体；以及从偏置电源向基板支承部供给电偏置的脉冲。电偏置的脉冲包括以1MHz以下的偏置频率周期性地产生的直流电压脉冲。循环的重复频率为5kHz以上。电偏置的脉冲的开始时机与源高频电力的脉冲的停止时机同时或比该停止时机早。电偏置的脉冲的停止时机比源高频电力的脉冲的停止时机晚。
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公开(公告)号：CN101511969B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200780033566.2
申请日：2007-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 路易斯·艾斯德罗·费尔南德茨 , 浦川理史
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31122 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32697 , H01J2237/334
Abstract: 描述了一种利用基于三氯化硼(BCl3)的处理化学组分刻蚀含铪层的方法和系统。具有诸如二氧化铪(HfO2)层之类的含铪层的衬底受到包括BCl3和添加气体的干法刻蚀处理，添加气体包括：含氧气体，例如O2；或者含氮气体，例如N2；或者烃气体(CxHy)，例如CH4；或者其中两者或更多者的组合。
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