-
公开(公告)号：CN109216182B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810696017.3
申请日：2018-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括灰化处理步骤和腔室内的部件的表面处理步骤。在灰化处理步骤中，使用含氢气体的等离子体对送入到腔室内的半导体晶片进行灰化处理，并将灰化处理步后的半导体晶片从腔室内送出。在腔室内的部件的表面处理步骤中，在进行了至少一次灰化处理步骤后，使用含氧气体的等离子体来处理腔室内的部件的表面。另外，在腔室内的部件的表面处理步骤之后，再次进行至少一次灰化处理步骤。由此，能够抑制颗粒的产生。
-
公开(公告)号：CN104465365A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410495671.X
申请日：2014-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C14/3457 , H01J37/32091 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/32137
Abstract: 提供能够以高蚀刻速率形成深径比高的形状的等离子体处理方法，该方法包括：蚀刻工序，将含有SF6、ClF3和F2中的至少一种的第一气体供给到处理容器内，生成第一气体的等离子体来对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻；第一成膜工序，将含有碳氢化合物、碳氟化合物和氟代烃中的至少一种的第二气体供给到处理容器内，生成第二气体的等离子体来在被蚀刻层的至少一部分上形成由来于第二气体的保护膜。在蚀刻工序中，将处理容器内的压力设为第一压力且对下部电极施加第一偏置电力。在第一成膜工序中，将处理容器内的压力设为低于第一压力的第二压力且对下部电极施加高于第一偏置电力的第二偏置电力。重复执行包括蚀刻工序和第一成膜工序的序列。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216182A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810696017.3
申请日：2018-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括灰化处理步骤和腔室内的部件的表面处理步骤。在灰化处理步骤中，使用含氢气体的等离子体对送入到腔室内的半导体晶片进行灰化处理，并将灰化处理步后的半导体晶片从腔室内送出。在腔室内的部件的表面处理步骤中，在进行了至少一次灰化处理步骤后，使用含氧气体的等离子体来处理腔室内的部件的表面。另外，在腔室内的部件的表面处理步骤之后，再次进行至少一次灰化处理步骤。由此，能够抑制颗粒的产生。
-
公开(公告)号：CN107533970B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201680021741.5
申请日：2016-05-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , B08B7/00 , G11B5/84 , H01L21/304
Abstract: 提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。
-
公开(公告)号：CN107533970A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680021741.5
申请日：2016-05-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , B08B7/00 , G11B5/84 , H01L21/304
Abstract: 提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。
-
公开(公告)号：CN119522474A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380052289.9
申请日：2023-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 在公开的等离子体处理装置中，控制部带来循环的重复。循环包括以下工序：从高频电源供给源高频电力的脉冲以在腔室内从气体生成等离子体；以及从偏置电源向基板支承部供给电偏置的脉冲。电偏置的脉冲包括以1MHz以下的偏置频率周期性地产生的直流电压脉冲。循环的重复频率为5kHz以上。电偏置的脉冲的开始时机与源高频电力的脉冲的停止时机同时或比该停止时机早。电偏置的脉冲的停止时机比源高频电力的脉冲的停止时机晚。
-
公开(公告)号：CN104465365B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410495671.X
申请日：2014-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C14/3457 , H01J37/32091 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/32137
Abstract: 提供能够以高蚀刻速率形成深径比高的形状的等离子体处理方法，该方法包括：蚀刻工序，将含有SF6、ClF3和F2中的至少一种的第一气体供给到处理容器内，生成第一气体的等离子体来对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻；第一成膜工序，将含有碳氢化合物、碳氟化合物和氟代烃中的至少一种的第二气体供给到处理容器内，生成第二气体的等离子体来在被蚀刻层的至少一部分上形成由来于第二气体的保护膜。在蚀刻工序中，将处理容器内的压力设为第一压力且对下部电极施加第一偏置电力。在第一成膜工序中，将处理容器内的压力设为低于第一压力的第二压力且对下部电极施加高于第一偏置电力的第二偏置电力。重复执行包括蚀刻工序和第一成膜工序的序列。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.021 seconds)
