公开(公告)号：CN109216182A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810696017.3

申请日：2018-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 星直嗣 ,  大石哲也 ,  东堤慎司

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括灰化处理步骤和腔室内的部件的表面处理步骤。在灰化处理步骤中，使用含氢气体的等离子体对送入到腔室内的半导体晶片进行灰化处理，并将灰化处理步后的半导体晶片从腔室内送出。在腔室内的部件的表面处理步骤中，在进行了至少一次灰化处理步骤后，使用含氧气体的等离子体来处理腔室内的部件的表面。另外，在腔室内的部件的表面处理步骤之后，再次进行至少一次灰化处理步骤。由此，能够抑制颗粒的产生。

公开(公告)号：CN109216182B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201810696017.3

申请日：2018-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 星直嗣 ,  大石哲也 ,  东堤慎司

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括灰化处理步骤和腔室内的部件的表面处理步骤。在灰化处理步骤中，使用含氢气体的等离子体对送入到腔室内的半导体晶片进行灰化处理，并将灰化处理步后的半导体晶片从腔室内送出。在腔室内的部件的表面处理步骤中，在进行了至少一次灰化处理步骤后，使用含氧气体的等离子体来处理腔室内的部件的表面。另外，在腔室内的部件的表面处理步骤之后，再次进行至少一次灰化处理步骤。由此，能够抑制颗粒的产生。

公开(公告)号：CN104285282B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201380022766.3

申请日：2013-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹田谅平 ,  户村光宏 ,  北村彰规 ,  东堤慎司 ,  大竹浩人 ,  塚本刚史

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种能够形成对多层膜进行蚀刻时使用的掩模的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法为对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻的方法，该方法使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，并使载置台(3)的温度为100℃以上。

公开(公告)号：CN104285282A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380022766.3

申请日：2013-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹田谅平 ,  户村光宏 ,  北村彰规 ,  东堤慎司 ,  大竹浩人 ,  塚本刚史

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种能够形成对多层膜进行蚀刻时使用的掩模的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法为对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻的方法，该方法使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，并使载置台(3)的温度为100℃以上。