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公开(公告)号：CN1595619A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410073909.6
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
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公开(公告)号：CN109427575B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201810964660.X
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种抑制通过蚀刻而形成的槽的关键尺寸的扩大的蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括搬送工序、改性工序、去除工序以及蚀刻工序。在搬送工序中，将层叠有基底膜、第一有机膜以及掩膜的被处理体搬入腔室内并载置在载置台上。在改性工序中，利用被供给到腔室内的包含碳元素、氢元素以及氟元素的第一气体的等离子体，对被处理体的表面进行改性。在去除工序中，向载置台施加第一电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体将形成于未被掩膜覆盖的第一有机膜的表面的改性层去除。在蚀刻工序中，向载置台施加比第一电力低的第二电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体对已被去除的改性层的下层的第一有机膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN104067375A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380005955.X
申请日：2013-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/32136 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其用于使用等离子体蚀刻装置隔着硬掩模对被处理基板的金属层进行蚀刻，连续交替地多次反复实施以下两个工序：作为所述蚀刻气体，使用由O2气体、CF4气体和HBr气体的混合气体构成的第1蚀刻气体的第1工序；和作为所述蚀刻气体，使用由O2和CF4气体的混合气体构成的第2蚀刻气体的第2工序，并且对下部电极施加第1频率的第1频率电力和比第1频率低的第2频率的第2高频电力，且脉冲状地施加第1高频电力。
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公开(公告)号：CN1956155A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137154.0
申请日：2006-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/311 , G05B19/02
Abstract: 以光致抗蚀剂膜作为掩模，在光致抗蚀剂膜上，有选择地等离子体蚀刻SiO2膜，形成通孔。在等离子体蚀刻中，使用包含用CxFyO(x为4或5，y为整数，y/x为1～1.5)表示的含有不饱和氧的碳氟化合物气体的蚀刻气体。作为含有不饱和氧的碳氟化合物气体，使用例如C4F4O气体和C4F6O气体。
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公开(公告)号：CN109427575A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810964660.X
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种抑制通过蚀刻而形成的槽的关键尺寸的扩大的蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括搬送工序、改性工序、去除工序以及蚀刻工序。在搬送工序中，将层叠有基底膜、第一有机膜以及掩膜的被处理体搬入腔室内并载置在载置台上。在改性工序中，利用被供给到腔室内的包含碳元素、氢元素以及氟元素的第一气体的等离子体，对被处理体的表面进行改性。在去除工序中，向载置台施加第一电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体将形成于未被掩膜覆盖的第一有机膜的表面的改性层去除。在蚀刻工序中，向载置台施加比第一电力低的第二电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体对已被去除的改性层的下层的第一有机膜进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101154569B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN101447426B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200810180924.9
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
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公开(公告)号：CN100440449C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03815028.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。
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公开(公告)号：CN101154569A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN101093796A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710140293.3
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。
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