公开(公告)号：CN102376558B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201110231962.4

申请日：2011-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小笠原正宏 ,  加藤义之 ,  水野秀树 ,  早川欣延

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。

公开(公告)号：CN101901744B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201010178050.0

申请日：2010-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八田浩一 ,  水野秀树

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明提供等离子处理用圆环状零件及等离子处理装置。其通过控制电场分布特性而能实现提高等离子处理的均匀性、成品率。该等离子处理装置包括：处理容器，包括内部能保持为真空的处理室；载置台，用于在该处理室内载置被处理基板并且兼作为下部电极；圆环状零件，配置为在该载置台上围绕上述被处理基板的周缘；上部电极，与上述下部电极相对地配置在上述下部电极的上方；供电体，用于向上述载置台供给高频电力；利用在上述处理室内产生的等离子体对上述被处理基板实施等离子处理，在上述圆环状零件的、与生成等离子体的等离子体生成空间侧相反一侧的面上形成至少一个用于将上述等离子体生成空间的电场分布调整为期望的电场分布的环状的槽。

公开(公告)号：CN102376558A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110231962.4

申请日：2011-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小笠原正宏 ,  加藤义之 ,  水野秀树 ,  早川欣延

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。

公开(公告)号：CN101901744A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010178050.0

申请日：2010-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八田浩一 ,  水野秀树

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明提供等离子处理用圆环状零件及等离子处理装置。其通过控制电场分布特性而能实现提高等离子处理的均匀性、成品率。该等离子处理装置包括：处理容器，包括内部能保持为真空的处理室；载置台，用于在该处理室内载置被处理基板并且兼作为下部电极；圆环状零件，配置为在该载置台上围绕上述被处理基板的周缘；上部电极，与上述下部电极相对地配置在上述下部电极的上方；供电体，用于向上述载置台供给高频电力；利用在上述处理室内产生的等离子体对上述被处理基板实施等离子处理，在上述圆环状零件的、与生成等离子体的等离子体生成空间侧相反一侧的面上形成至少一个用于将上述等离子体生成空间的电场分布调整为期望的电场分布的环状的槽。

公开(公告)号：CN1595619A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410073909.6

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。

公开(公告)号：CN111524807A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010078704.6

申请日：2020-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水野秀树 ,  铃木敬纪

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明提供一种减小蚀刻第一区域和第二区域时的形状的差异的基板处理方法和基板处理装置，该第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，该第二区域具有氧化硅膜的单层膜。基板处理方法具有以下工序：提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序，第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，第二区域具有氧化硅膜的单层膜；改变含硫气体的流量，以各流量使用处理气体蚀刻第一基板，求出含硫气体的流量与形状差之间的关系的工序，形状差为形成于第一区域的凹部的形状与形成于第二区域的凹部的形状的形状差；根据关系，决定含硫气体的流量的工序；以及以决定出的含硫气体的流量来蚀刻第二基板的工序。

公开(公告)号：CN101447426B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200810180924.9

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。

公开(公告)号：CN101447426A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810180924.9

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。