公开(公告)号：CN101030527A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710084786.X

申请日：2007-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广津信 ,  内藤和香子 ,  铃木敬纪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在对防反射膜进行蚀刻时，能够在宽范围控制等离子体，由此可控制蚀刻特性的分布，因此在之后的蚀刻对象膜的蚀刻中能够控制CD分布。本发明的等离子体蚀刻方法用于对在被处理体(W)上形成的防反射膜进行等离子体蚀刻，包括：在上下相对设置有第一电极(34)和第二电极(16)的处理容器(10)内，配置在基板上依次形成有蚀刻对象膜、防反射膜和被图案化的光致抗蚀剂膜的被处理体的工序；向处理容器(10)内导入处理气体的工序；向第一电极(34)和第二电极(16)中的任一个施加高频电力，生成等离子体的工序；向任一个电极施加直流电压的工序。

公开(公告)号：CN111524807A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010078704.6

申请日：2020-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水野秀树 ,  铃木敬纪

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明提供一种减小蚀刻第一区域和第二区域时的形状的差异的基板处理方法和基板处理装置，该第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，该第二区域具有氧化硅膜的单层膜。基板处理方法具有以下工序：提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序，第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，第二区域具有氧化硅膜的单层膜；改变含硫气体的流量，以各流量使用处理气体蚀刻第一基板，求出含硫气体的流量与形状差之间的关系的工序，形状差为形成于第一区域的凹部的形状与形成于第二区域的凹部的形状的形状差；根据关系，决定含硫气体的流量的工序；以及以决定出的含硫气体的流量来蚀刻第二基板的工序。