公开(公告)号：CN1217388C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN01816013.1

申请日：2001-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小笠原正宏 ,  加藤和也

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明可以得到具有耐等离子体性高、可抑制异常放电的排气环的等离子体处理装置。处理室(100)包含配置上部电极(112)的顶板部(110)，和配置可载置与上部电极(112)对置配置的下部电极(122)的容器部(120)。在下部电极(122)周围配以排气环(126)，以便划分处理室(100)内的等离子体处理空间(102)和排气空间(104)，在排气环(126)上形成贯通孔(126a)和比贯通孔(126a)数量少，且在等离子体处理空间(102)侧开口的盲孔(126b)。在排气环(126)的等离子体处理空间(102)侧表面上施以由Y2O3构成的绝缘膜。

公开(公告)号：CN101447426B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200810180924.9

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。

公开(公告)号：CN101447426A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810180924.9

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。

公开(公告)号：CN115394630A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210538670.3

申请日：2022-05-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田和香子 ,  畑村安则 ,  裴银都 ,  加藤和也 ,  张仁镐 ,  沼泽荣佑

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  B08B5/02 ,  B08B7/00

Abstract: 本公开涉及一种清洁方法和等离子体处理装置，适当地去除在等离子体蚀刻中附着于基板的斜面部和背面的反应产物。基板的清洁方法包括以下工序：向基板支承体提供具备含有硅的Low‑k层的基板；通过由第一气体产生的等离子体来蚀刻所述Low‑k层；将蚀刻后的所述基板从所述基板支承体分离；通过由第二气体产生的等离子体来去除在蚀刻中附着于所述基板的反应产物，其中，所述第二气体包含用CxHyFz(y≥0，x/z>1/4)表示的第一含碳气体。

公开(公告)号：CN1595619A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410073909.6

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。

公开(公告)号：CN1461494A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN01816013.1

申请日：2001-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小笠原正宏 ,  加藤和也

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明可以得到具有耐等离子体性高、可抑制异常放电的排气环的等离子体处理装置。处理室(100)包含配置上部电极(112)的顶板部(110)，和配置可载置与上部电极(112)对置配置的下部电极(122)的容器部(120)。在下部电极(122)周围配以排气环(126)，以便划分处理室(100)内的等离子体处理空间(102)和排气空间(104)，在排气环(126)上形成贯通孔(126a)和比贯通孔(126a)数量少，且在等离子体处理空间(102)侧开口的盲孔(126b)。在排气环(126)的等离子体处理空间(102)侧表面上施以由Y2O3构成的绝缘膜。