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公开(公告)号：CN115394630A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210538670.3
申请日：2022-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种清洁方法和等离子体处理装置，适当地去除在等离子体蚀刻中附着于基板的斜面部和背面的反应产物。基板的清洁方法包括以下工序：向基板支承体提供具备含有硅的Low‑k层的基板；通过由第一气体产生的等离子体来蚀刻所述Low‑k层；将蚀刻后的所述基板从所述基板支承体分离；通过由第二气体产生的等离子体来去除在蚀刻中附着于所述基板的反应产物，其中，所述第二气体包含用CxHyFz(y≥0，x/z>1/4)表示的第一含碳气体。
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