公开(公告)号：CN113257670A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110061366.X

申请日：2021-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田和香子 ,  菊池正明 ,  富樫涉 ,  畑村安则

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够良好地维持蚀刻的面内的均匀性的蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法包括：用第一处理气体的等离子体蚀刻基片的第一含硅膜的第一蚀刻步骤；和用第二处理气体的等离子体蚀刻基片的第二含硅膜的第二蚀刻步骤。蚀刻方法将第一蚀刻步骤至第二蚀刻步骤反复进行预定的次数。

公开(公告)号：CN115394630A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210538670.3

申请日：2022-05-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田和香子 ,  畑村安则 ,  裴银都 ,  加藤和也 ,  张仁镐 ,  沼泽荣佑

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  B08B5/02 ,  B08B7/00

Abstract: 本公开涉及一种清洁方法和等离子体处理装置，适当地去除在等离子体蚀刻中附着于基板的斜面部和背面的反应产物。基板的清洁方法包括以下工序：向基板支承体提供具备含有硅的Low‑k层的基板；通过由第一气体产生的等离子体来蚀刻所述Low‑k层；将蚀刻后的所述基板从所述基板支承体分离；通过由第二气体产生的等离子体来去除在蚀刻中附着于所述基板的反应产物，其中，所述第二气体包含用CxHyFz(y≥0，x/z>1/4)表示的第一含碳气体。

公开(公告)号：CN1777691B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200480010683.3

申请日：2004-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 日向邦彦 ,  畑村安则

IPC: C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01L21/67069

Abstract: 一种被构造成能够耦连到基片支座上的聚焦环组件，包括：聚焦环，以及耦连到聚焦环上的二级聚焦环，其中二级聚焦环被构造成能够减少处理过程的残留物在基片的背部表面上的淀积。

公开(公告)号：CN100576475C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200580046337.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻沢刚一郎 ,  瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ,  畑村安则 ,  萩原正明 ,  西村荣一

IPC: H01L21/461

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138 ,  H01L22/26

Abstract: 提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。

公开(公告)号：CN101099234A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580046337.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻沢刚一郎 ,  瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ,  畑村安则 ,  萩原正明 ,  西村荣一

IPC: H01L21/461

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138 ,  H01L22/26

Abstract: 提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。

公开(公告)号：CN1777691A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010683.3

申请日：2004-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 日向邦彦 ,  畑村安则

IPC: C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01L21/67069

Abstract: 一种被构造成能够耦连到基片支座上的聚焦环组件，包括：聚焦环，以及耦连到聚焦环上的二级聚焦环，其中二级聚焦环被构造成能够减少处理过程的残留物在基片的背部表面上的淀积。