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公开(公告)号：CN113257670A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110061366.X
申请日：2021-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够良好地维持蚀刻的面内的均匀性的蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法包括：用第一处理气体的等离子体蚀刻基片的第一含硅膜的第一蚀刻步骤；和用第二处理气体的等离子体蚀刻基片的第二含硅膜的第二蚀刻步骤。蚀刻方法将第一蚀刻步骤至第二蚀刻步骤反复进行预定的次数。
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