公开(公告)号：CN109219867A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780034555.X

申请日：2017-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 畑崎芳成 ,  石田和香子 ,  谷口谦介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK)，该蚀刻方法包括：生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤；和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤，在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率，反复执行第1步骤和第2步骤。

公开(公告)号：CN109219867B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201780034555.X

申请日：2017-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 畑崎芳成 ,  石田和香子 ,  谷口谦介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK)，该蚀刻方法包括：生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤；和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤，在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率，反复执行第1步骤和第2步骤。

公开(公告)号：CN111989766A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201980017880.4

申请日：2019-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 及川翔 ,  石田和香子

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种基板处理装置中的蚀刻方法，所述基板处理装置具有用于放置基板的第一电极、以及与所述第一电极相对的第二电极，所述蚀刻方法包括：第一工序，导入第一气体，以将形成在基板上的对象膜蚀刻成该对象膜上的预定膜的图案的方式将所述对象膜的蚀刻进行至中途；第二工序，在进行所述第一工序之后，导入包含Ar气体、H2气体以及沉积性气体的第二气体，并向所述第二电极施加直流电压，以形成保护膜；以及第三工序，在进行形成所述保护膜的工序之后，导入第三气体，对所述对象膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN113257670A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110061366.X

申请日：2021-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田和香子 ,  菊池正明 ,  富樫涉 ,  畑村安则

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够良好地维持蚀刻的面内的均匀性的蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法包括：用第一处理气体的等离子体蚀刻基片的第一含硅膜的第一蚀刻步骤；和用第二处理气体的等离子体蚀刻基片的第二含硅膜的第二蚀刻步骤。蚀刻方法将第一蚀刻步骤至第二蚀刻步骤反复进行预定的次数。

公开(公告)号：CN118263110A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311717697.X

申请日：2023-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松桥泰平 ,  石田和香子

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明所公开的蚀刻方法包括在腔体内在基板支承部上准备基板的工序(a)。基板包括：多层膜，包括多个第1膜及与该多个第1膜交替层叠的多个第2膜；及掩模，设置于多层膜上。蚀刻方法还包括对多个第1膜中的1个以上第1膜进行蚀刻的工序(b)。蚀刻方法还包括对多个第2膜中的1个以上第2膜进行蚀刻的工序(c)。在工序(b)及工序(c)的每一个中，间歇地或周期性地供给等离子体生成用源高频功率的脉冲及用于吸入离子的电偏置的脉冲。

公开(公告)号：CN115394630A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210538670.3

申请日：2022-05-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田和香子 ,  畑村安则 ,  裴银都 ,  加藤和也 ,  张仁镐 ,  沼泽荣佑

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  B08B5/02 ,  B08B7/00

Abstract: 本公开涉及一种清洁方法和等离子体处理装置，适当地去除在等离子体蚀刻中附着于基板的斜面部和背面的反应产物。基板的清洁方法包括以下工序：向基板支承体提供具备含有硅的Low‑k层的基板；通过由第一气体产生的等离子体来蚀刻所述Low‑k层；将蚀刻后的所述基板从所述基板支承体分离；通过由第二气体产生的等离子体来去除在蚀刻中附着于所述基板的反应产物，其中，所述第二气体包含用CxHyFz(y≥0，x/z>1/4)表示的第一含碳气体。