公开(公告)号：CN118263110A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311717697.X

申请日：2023-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松桥泰平 ,  石田和香子

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明所公开的蚀刻方法包括在腔体内在基板支承部上准备基板的工序(a)。基板包括：多层膜，包括多个第1膜及与该多个第1膜交替层叠的多个第2膜；及掩模，设置于多层膜上。蚀刻方法还包括对多个第1膜中的1个以上第1膜进行蚀刻的工序(b)。蚀刻方法还包括对多个第2膜中的1个以上第2膜进行蚀刻的工序(c)。在工序(b)及工序(c)的每一个中，间歇地或周期性地供给等离子体生成用源高频功率的脉冲及用于吸入离子的电偏置的脉冲。

公开(公告)号：CN114334595A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111108783.1

申请日：2021-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横山乔大 ,  松桥泰平 ,  细谷正德 ,  松本大宇

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在含硅膜的等离子体蚀刻中对通过蚀刻形成的凹部的底部的宽度进行调整。一个例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板；工序(b)，将基板支承器的温度调整为‑20℃以下；工序(c)，向腔室内供给包含含氮气体的处理气体；以及工序(d)，使用从处理气体生成的等离子体来对含硅膜进行蚀刻。通过对含硅膜进行蚀刻，含有硅和氮的副产物附着于凹部的侧壁。蚀刻方法在工序(b)之前包括工序(e)，在该工序(e)中，设定基板支承器的温度和处理气体中包含的含氮气体的流量中的至少一个蚀刻参数，以通过副产物的附着量来调整凹部的底部的宽度。