公开(公告)号：CN107567650A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201680025639.2

申请日：2016-04-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本大宇 ,  安德鲁·W·梅茨 ,  扬妮克·弗尔普里尔 ,  凯蒂·吕特克-李

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 公开了一种用于蚀刻在基片上的抗反射涂层(604)的方法。基片(600)包括有机层(606)、设置在有机层(606)上方的抗反射涂层(604)以及设置在抗反射涂层(604)上方的光致抗蚀剂层(602)。该方法包括：将光致抗蚀剂层(602)图案化以露出抗反射涂层(604)的非掩模部分；以及在抗反射涂层(604)的非掩模部分和图案化的光致抗蚀剂层(602)的非侧壁部分上选择性地沉积(608)含碳层(609)。该方法还包括：蚀刻(610)基片(600)，以去除含碳层(609)并且去除抗反射涂层(604)的非掩模部分的部分厚度，而不减小光致抗蚀剂层(602)的厚度。该方法还包括重复(612)选择性沉积(608)和蚀刻(610)，至少直到抗反射涂层(604)的非掩模部分的完整厚度被去除为止，以露出下面的有机层(606)。

公开(公告)号：CN114334595A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111108783.1

申请日：2021-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横山乔大 ,  松桥泰平 ,  细谷正德 ,  松本大宇

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在含硅膜的等离子体蚀刻中对通过蚀刻形成的凹部的底部的宽度进行调整。一个例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板；工序(b)，将基板支承器的温度调整为‑20℃以下；工序(c)，向腔室内供给包含含氮气体的处理气体；以及工序(d)，使用从处理气体生成的等离子体来对含硅膜进行蚀刻。通过对含硅膜进行蚀刻，含有硅和氮的副产物附着于凹部的侧壁。蚀刻方法在工序(b)之前包括工序(e)，在该工序(e)中，设定基板支承器的温度和处理气体中包含的含氮气体的流量中的至少一个蚀刻参数，以通过副产物的附着量来调整凹部的底部的宽度。