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公开(公告)号：CN113496889A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110268051.2
申请日：2021-03-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在防止氮化硅的劣化的同时对氧化硅进行蚀刻。所述蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备具有由氧化硅形成的第一区域和由氮化硅形成的第二区域的基板；工序(b)，使所述基板暴露在包含碳氟化合物气体的第一处理气体的等离子体中，对所述第一区域进行蚀刻，并在所述第一区域和所述第二区域上形成包含碳氟化合物的沉积物；工序(c)，通过所述沉积物中包含的碳氟化合物的自由基来对所述第一区域和所述第二区域进行蚀刻；以及工序(d)，通过不包含氧的第二处理气体的等离子体来去除所述沉积物。
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公开(公告)号：CN112567502A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201980053944.6
申请日：2019-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 在例示性的实施方式所涉及的方法中，通过等离子体蚀刻来蚀刻第一区域，以使第一区域在比第二区域靠基板内的更深的位置提供其上表面。接下来，通过在等离子体处理装置的腔室内生成烃气的等离子体，来在基板上形成含碳的沉积物。接下来，通过等离子体蚀刻，进一步蚀刻第一区域。在烃气的等离子体的生成过程中，通过电磁体形成在基板的边缘侧上的水平分量比在基板的中心上的水平分量大的磁场分布。
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公开(公告)号：CN109755125A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811312127.1
申请日：2018-11-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种蚀刻的方法。被加工物包括由氧化硅形成的第一区域和由氮化硅形成的第二区域。第二区域以提供凹部的方式延伸，并在凹部的下侧设有底部区域。第一区域被设置成覆盖第二区域。在蚀刻方法中，在被加工物上形成碳氟化合物的沉积物，稀有气体原子的离子被照射到被加工物，来蚀刻第一区域。接着，向底部区域供给氢离子，来形成改性区域。接着，在被加工物上形成碳氟化合物的沉积物，将稀有气体原子的离子照射到被加工物，来蚀刻改性区域。
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公开(公告)号：CN119256390A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380042176.0
申请日：2023-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 所公开的蚀刻方法包括：工序(a)，在腔室内准备基板；工序(b)，在基板上形成沉积物；工序(c)，通过从由处理气体生成的等离子体向沉积物供给离子，对沉积物进行改性；及工序(d)，在工序(c)之后，使用等离子体对电介质膜进行蚀刻。基板包括电介质膜和掩模。沉积物从由处理气体生成的等离子体被供给，该处理气体包含含有氟及碳的气体成分。工序(c)中的源高频电力的功率水平为工序(b)中的源高频电力的功率水平以下。工序(c)中的电偏压的水平高于工序(b)中的电偏压的水平，或者在工序(b)中不供给电偏压。工序(d)中的电偏压的水平高于工序(c)中的电偏压的水平。
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公开(公告)号：CN114334595A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111108783.1
申请日：2021-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在含硅膜的等离子体蚀刻中对通过蚀刻形成的凹部的底部的宽度进行调整。一个例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板；工序(b)，将基板支承器的温度调整为‑20℃以下；工序(c)，向腔室内供给包含含氮气体的处理气体；以及工序(d)，使用从处理气体生成的等离子体来对含硅膜进行蚀刻。通过对含硅膜进行蚀刻，含有硅和氮的副产物附着于凹部的侧壁。蚀刻方法在工序(b)之前包括工序(e)，在该工序(e)中，设定基板支承器的温度和处理气体中包含的含氮气体的流量中的至少一个蚀刻参数，以通过副产物的附着量来调整凹部的底部的宽度。
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公开(公告)号：CN102347230A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110221425.1
申请日：2011-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32697 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对将抗蚀剂膜作为掩模的防反射膜进行蚀刻工序之前，使抗蚀剂膜良好地改性。等离子体处理方法包括以下工序：蚀刻工序，对在被蚀刻层上形成作为防反射膜的Si-ARC(15)而在防反射膜上形成图案形成后的ArF抗蚀剂膜(16)而成的层叠膜，使用从蚀刻气体生成的等离子体来将上述抗蚀剂膜作为掩模对上述防反射膜进行蚀刻；以及改性工序，在上述蚀刻工序之前，执行对等离子体处理装置导入含有CF4气体、COS气体以及Ar气体的改性用气体，用从该改性用气体生成的等离子体使ArF抗蚀剂膜(16)改性。
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公开(公告)号：CN113496889B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202110268051.2
申请日：2021-03-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在防止氮化硅的劣化的同时对氧化硅进行蚀刻。所述蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备具有由氧化硅形成的第一区域和由氮化硅形成的第二区域的基板；工序(b)，使所述基板暴露在包含碳氟化合物气体的第一处理气体的等离子体中，对所述第一区域进行蚀刻，并在所述第一区域和所述第二区域上形成包含碳氟化合物的沉积物；工序(c)，通过所述沉积物中包含的碳氟化合物的自由基来对所述第一区域和所述第二区域进行蚀刻；以及工序(d)，通过不包含氧的第二处理气体的等离子体来去除所述沉积物。
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公开(公告)号：CN111105973B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910830384.2
申请日：2019-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 示例性实施方式所涉及的清洗方法中，在等离子体处理装置的腔室内，由清洗气体形成等离子体。聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在等离子体的形成中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
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公开(公告)号：CN111819666A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017819.X
申请日：2019-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 在一个例示的实施方式的蚀刻方法中，在等离子体处理装置的腔室内生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，在基片上形成包含碳氟化合物的沉积物的步骤。基片具有由含硅材料形成的第一区域和由含金属材料形成的第二区域。接着，在腔室内生成稀有气体的等离子体，对基片供给稀有气体离子。其结果是，用沉积物中的碳氟化合物对第一区域进行蚀刻。在生成稀有气体的等离子体时，利用电磁体形成磁场的分布，该磁场的分布在基片的边缘侧的上方具有比基片的中心的上方的水平成分大的水平成分。
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公开(公告)号：CN111105973A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910830384.2
申请日：2019-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 示例性实施方式所涉及的清洗方法中，在等离子体处理装置的腔室内，由清洗气体形成等离子体。聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在等离子体的形成中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
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