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发明公开
蚀刻方法及等离子体处理装置审中-实审

公开(公告)号：CN119256390A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380042176.0

申请日：2023-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木凛 , 细谷正德 , 千叶祐毅 , 伊藤骏 , 西出大亮 , 大类贵俊 , 斋藤悠人

IPC: H01L21/3065

Abstract: 所公开的蚀刻方法包括：工序(a)，在腔室内准备基板；工序(b)，在基板上形成沉积物；工序(c)，通过从由处理气体生成的等离子体向沉积物供给离子，对沉积物进行改性；及工序(d)，在工序(c)之后，使用等离子体对电介质膜进行蚀刻。基板包括电介质膜和掩模。沉积物从由处理气体生成的等离子体被供给，该处理气体包含含有氟及碳的气体成分。工序(c)中的源高频电力的功率水平为工序(b)中的源高频电力的功率水平以下。工序(c)中的电偏压的水平高于工序(b)中的电偏压的水平，或者在工序(b)中不供给电偏压。工序(d)中的电偏压的水平高于工序(c)中的电偏压的水平。

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