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公开(公告)号：CN104471686B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380036784.7
申请日：2013-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括利用由含氢气体形成的等离子体对形成为规定图案的光致抗蚀剂的表面进行等离子体处理的等离子体处理步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括以被等离子体处理后的光致抗蚀剂为掩模、利用CF类气体和含CHF类气体对含硅膜进行蚀刻的蚀刻步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，将等离子体处理步骤和蚀刻步骤至少反复2次以上。
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公开(公告)号：CN104471686A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380036784.7
申请日：2013-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括利用由含氢气体形成的等离子体对形成为规定图案的光致抗蚀剂的表面进行等离子体处理的等离子体处理步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括以被等离子体处理后的光致抗蚀剂为掩模、利用CF类气体和含CHF类气体对含硅膜进行蚀刻的蚀刻步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，将等离子体处理步骤和蚀刻步骤至少反复2次以上。
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公开(公告)号：CN102347230A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110221425.1
申请日：2011-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32697 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对将抗蚀剂膜作为掩模的防反射膜进行蚀刻工序之前，使抗蚀剂膜良好地改性。等离子体处理方法包括以下工序：蚀刻工序，对在被蚀刻层上形成作为防反射膜的Si-ARC(15)而在防反射膜上形成图案形成后的ArF抗蚀剂膜(16)而成的层叠膜，使用从蚀刻气体生成的等离子体来将上述抗蚀剂膜作为掩模对上述防反射膜进行蚀刻；以及改性工序，在上述蚀刻工序之前，执行对等离子体处理装置导入含有CF4气体、COS气体以及Ar气体的改性用气体，用从该改性用气体生成的等离子体使ArF抗蚀剂膜(16)改性。
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公开(公告)号：CN105453236B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201480042959.X
申请日：2014-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 吉田亮一
IPC: H01L21/3065 , B82Y40/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其使用具有处理室的衬底处理装置对被处理体进行蚀刻，该处理室包括：第一电极；和与上述第一电极相对地配置的、载置被处理体的第二电极。该蚀刻方法包括：利用处理气体的等离子体在10℃以下的温度对通过包括第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物相分离而形成有上述第一聚合物和上述第二聚合物的图案的被处理体进行蚀刻，除去上述第一聚合物和上述第二聚合物中的至少一个聚合物的步骤。
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公开(公告)号：CN104701159A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410758800.X
申请日：2014-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 吉田亮一
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法。目的在于控制蚀刻图案的CD收缩比。该蚀刻方法为对基板上的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：供给包含含卤素气体、氢气、非活性气体以及氧气的处理气体，利用由该处理气体生成的等离子体对在蚀刻对象膜上形成有图案的掩模进行处理；对进行了前述处理的蚀刻对象膜利用由蚀刻气体生成的等离子体进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474524C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710088379.6
申请日：2007-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 吉田亮一
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够确保由SiC系膜构成的蚀刻终止层相对于Low-k膜的蚀刻选择性，并且能够在防止底切的同时进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。是对于在基板上依次形成有配线层、由SiC系材料构成的蚀刻阻挡膜、低介电常数(Low-k)膜及蚀刻掩模的结构体，在等离子体蚀刻所述低介电常数(Low-k)膜之后，对蚀刻阻挡膜进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，将等离子体蚀刻所述低介电常数(Low-k)膜之后的所述结构体设置在上下相对设置有第一电极及第二电极的处理容器内，向处理容器内导入包含NF3的处理气体，向第一电极及第二电极中的任一个施加高频电力、生成等离子体，向任意的电极施加直流电压。
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公开(公告)号：CN101038872A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088379.6
申请日：2007-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 吉田亮一
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够确保由SiC系膜构成的蚀刻终止层相对于Low－k膜的蚀刻选择性，并且能够在防止底切的同时进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。是对于在基板上依次形成有配线层、由SiC系材料构成的蚀刻阻挡膜、低介电常数(Low－k)膜及蚀刻掩模的结构体，在等离子体蚀刻所述低介电常数(Low－k)膜之后，对蚀刻阻挡膜进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，将等离子体蚀刻所述低介电常数(Low－k)膜之后的所述结构体设置在上下相对设置有第一电极及第二电极的处理容器内，向处理容器内导入包含NF3的处理气体，向第一电极及第二电极中的任一个施加高频电力、生成等离子体，向任意的电极施加直流电压。
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公开(公告)号：CN104701159B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201410758800.X
申请日：2014-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 吉田亮一
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法。目的在于控制蚀刻图案的CD收缩比。该蚀刻方法为对基板上的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：供给包含含卤素气体、氢气、非活性气体以及氧气的处理气体，利用由该处理气体生成的等离子体对在蚀刻对象膜上形成有图案的掩模进行处理；对进行了前述处理的蚀刻对象膜利用由蚀刻气体生成的等离子体进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN105453236A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480042959.X
申请日：2014-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 吉田亮一
IPC: H01L21/3065 , B82Y40/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其使用具有处理室的衬底处理装置对被处理体进行蚀刻，该处理室包括：第一电极；和与上述第一电极相对地配置的、载置被处理体的第二电极。该蚀刻方法包括：利用处理气体的等离子体在10℃以下的温度对通过包括第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物相分离而形成有上述第一聚合物和上述第二聚合物的图案的被处理体进行蚀刻，除去上述第一聚合物和上述第二聚合物中的至少一个聚合物的步骤。
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公开(公告)号：CN102347230B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110221425.1
申请日：2011-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32697 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对将抗蚀剂膜作为掩模的防反射膜进行蚀刻工序之前，使抗蚀剂膜良好地改性。等离子体处理方法包括以下工序：蚀刻工序，对在被蚀刻层上形成作为防反射膜的Si-ARC(15)而在防反射膜上形成图案形成后的ArF抗蚀剂膜(16)而成的层叠膜，使用从蚀刻气体生成的等离子体来将上述抗蚀剂膜作为掩模对上述防反射膜进行蚀刻；以及改性工序，在上述蚀刻工序之前，执行对等离子体处理装置导入含有CF4气体、COS气体以及Ar气体的改性用气体，用从该改性用气体生成的等离子体使ArF抗蚀剂膜(16)改性。
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