公开(公告)号：CN102347230B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110221425.1

申请日：2011-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 细谷正德 ,  伊藤雅大 ,  吉田亮一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32697 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对将抗蚀剂膜作为掩模的防反射膜进行蚀刻工序之前，使抗蚀剂膜良好地改性。等离子体处理方法包括以下工序：蚀刻工序，对在被蚀刻层上形成作为防反射膜的Si-ARC(15)而在防反射膜上形成图案形成后的ArF抗蚀剂膜(16)而成的层叠膜，使用从蚀刻气体生成的等离子体来将上述抗蚀剂膜作为掩模对上述防反射膜进行蚀刻；以及改性工序，在上述蚀刻工序之前，执行对等离子体处理装置导入含有CF4气体、COS气体以及Ar气体的改性用气体，用从该改性用气体生成的等离子体使ArF抗蚀剂膜(16)改性。

公开(公告)号：CN102522330A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110435763.5

申请日：2009-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李诚泰 ,  小笠原正宏 ,  伊藤雅大

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。

公开(公告)号：CN102347230A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110221425.1

申请日：2011-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 细谷正德 ,  伊藤雅大 ,  吉田亮一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32697 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对将抗蚀剂膜作为掩模的防反射膜进行蚀刻工序之前，使抗蚀剂膜良好地改性。等离子体处理方法包括以下工序：蚀刻工序，对在被蚀刻层上形成作为防反射膜的Si-ARC(15)而在防反射膜上形成图案形成后的ArF抗蚀剂膜(16)而成的层叠膜，使用从蚀刻气体生成的等离子体来将上述抗蚀剂膜作为掩模对上述防反射膜进行蚀刻；以及改性工序，在上述蚀刻工序之前，执行对等离子体处理装置导入含有CF4气体、COS气体以及Ar气体的改性用气体，用从该改性用气体生成的等离子体使ArF抗蚀剂膜(16)改性。

公开(公告)号：CN102522330B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110435763.5

申请日：2009-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李诚泰 ,  小笠原正宏 ,  伊藤雅大

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。

公开(公告)号：CN101800160B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN200910261675.0

申请日：2009-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李诚泰 ,  小笠原正宏 ,  伊藤雅大

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。

公开(公告)号：CN101800160A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200910261675.0

申请日：2009-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李诚泰 ,  小笠原正宏 ,  伊藤雅大

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。