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公开(公告)号：CN106158619B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610300938.4
申请日：2016-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种被处理体的处理方法。本发明可在含钨膜中形成具有高垂直性的开口。一个实施方式的方法包括：(i)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序；(ii)在处理容器内生成含有氯的第1处理气体的等离子体的第1等离子体处理工序；(iii)在处理容器内生成含有氟的第2处理气体的等离子体的第2等离子体处理工序；及(iv)在处理容器内生成含有氧的第3处理气体的等离子体的第3等离子体处理工序。在该方法中，执行多次序列，该序列各自包括第1等离子体处理工序、第2等离子体处理工序、及第3等离子体处理工序。
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公开(公告)号：CN100416773C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200380104294.2
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。
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公开(公告)号：CN1717789A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104293.8
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括可以设置成有真空气氛的处理容器(10)。第一上部电极(36)被配置成与配置在处理容器(10)内的被处理基板(W)相面对并成环状。在第一上部电极(36)的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置第二上部电极(38)。第一供电部(50)把来自第一高频电源(52)的第一高频以第一功率值提供给第一上部电极(36)。从第一供电部(50)分出的第二供电部(76)把来自第一高频电源的所述第一高频，以比第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极(38)。
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公开(公告)号：CN102522330A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110435763.5
申请日：2009-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。
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公开(公告)号：CN101447426B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200810180924.9
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
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公开(公告)号：CN100459059C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200380104292.3
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01L21/31116
Abstract: 一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。
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公开(公告)号：CN112420508A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010841594.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67
Abstract: 一种能够提高硼膜或含硼膜的蚀刻的垂直性的蚀刻方法。该蚀刻方法包括：准备基板的工序，在所述基板上形成有硼膜或含硼膜；供给处理气体的工序，所述处理气体含有氯气、含氟气体、以及含氢气体；以及通过所述处理气体的等离子体经由掩模对所述硼膜或所述含硼膜进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN102376558A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110231962.4
申请日：2011-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。
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公开(公告)号：CN101621000B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910158711.0
申请日：2009-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , G05B19/04
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32091 , H01J37/32935 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31122
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和控制程序，其与现有技术相比，能够抑制弓弯的产生，并能高精度地进行更精细的加工。本发明的等离子体蚀刻方法在对有机膜(102)进行蚀刻而形成被蚀刻膜(101)的掩模图案时，至少包括：第一有机膜蚀刻工序，其对有机膜(102)的一部分进行蚀刻；处理工序，其在第一有机膜蚀刻工序之后，将含硅膜(103)和有机膜(102)暴露在稀有气体的等离子体中；和第二有机膜蚀刻工序，其在处理工序之后，对有机膜(102)的残留部分进行蚀刻。
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