公开(公告)号：CN110729187A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910938685.7

申请日：2014-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  小林史弥 ,  户村幕树

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。一种等离子体蚀刻方法，其对包含蚀刻对象膜和被图案化的掩模的被处理体进行等离子体蚀刻，所述方法具有：第1工序：使用前述掩模对前述蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻；和第2工序：利用含硅气体的等离子体使含硅膜沉积在通过前述第1工序蚀刻了的前述蚀刻对象膜的侧壁部的至少一部分沉积含硅膜。

公开(公告)号：CN106158619A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610300938.4

申请日：2016-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林史弥 ,  小笠原正宏

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种被处理体的处理方法。本发明可在含钨膜中形成具有高垂直性的开口。一个实施方式的方法包括：(i)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序；(ii)在处理容器内生成含有氯的第1处理气体的等离子体的第1等离子体处理工序；(iii)在处理容器内生成含有氟的第2处理气体的等离子体的第2等离子体处理工序；及(iv)在处理容器内生成含有氧的第3处理气体的等离子体的第3等离子体处理工序。在该方法中，执行多次序列，该序列各自包括第1等离子体处理工序、第2等离子体处理工序、及第3等离子体处理工序。

公开(公告)号：CN106158619B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201610300938.4

申请日：2016-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林史弥 ,  小笠原正宏

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种被处理体的处理方法。本发明可在含钨膜中形成具有高垂直性的开口。一个实施方式的方法包括：(i)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序；(ii)在处理容器内生成含有氯的第1处理气体的等离子体的第1等离子体处理工序；(iii)在处理容器内生成含有氟的第2处理气体的等离子体的第2等离子体处理工序；及(iv)在处理容器内生成含有氧的第3处理气体的等离子体的第3等离子体处理工序。在该方法中，执行多次序列，该序列各自包括第1等离子体处理工序、第2等离子体处理工序、及第3等离子体处理工序。

公开(公告)号：CN104716025A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410663832.1

申请日：2014-11-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  渡边光 ,  小林史弥 ,  久保田和宏 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813

Abstract: 本发明提供一种通过隔着硬掩模蚀刻氧化硅膜而在被处理体上形成具有50以上的深宽比的空间的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体；以及(b)第2工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，进一步将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体。在该蚀刻方法中，第2工序中的载置台和上部电极之间的距离被设定为第1工序中的载置台和上部电极之间的距离的5/3倍以上。

公开(公告)号：CN104716025B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410663832.1

申请日：2014-11-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  渡边光 ,  小林史弥 ,  久保田和宏 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813

Abstract: 本发明提供一种通过隔着硬掩模蚀刻氧化硅膜而在被处理体上形成具有50以上的深宽比的空间的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体；以及(b)第2工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，进一步将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体。在该蚀刻方法中，第2工序中的载置台和上部电极之间的距离被设定为第1工序中的载置台和上部电极之间的距离的5/3倍以上。

公开(公告)号：CN105210178A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480027582.0

申请日：2014-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  小林史弥 ,  户村幕树

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种等离子体蚀刻方法，其对包含蚀刻对象膜和被图案化的掩模的被处理体进行等离子体蚀刻，所述方法具有：第1工序：使用前述掩模对前述蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻；和第2工序：利用含硅气体的等离子体使含硅膜沉积在通过前述第1工序蚀刻了的前述蚀刻对象膜的侧壁部的至少一部分沉积含硅膜。

公开(公告)号：CN111326413A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010276188.8

申请日：2014-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  小林史弥 ,  户村幕树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/033 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。一种等离子体蚀刻方法，其对包含蚀刻对象膜和被图案化的掩模的被处理体进行等离子体蚀刻，所述方法具有：第1工序：使用前述掩模对前述蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻；和第2工序：利用含硅气体的等离子体使含硅膜沉积在通过前述第1工序蚀刻了的前述蚀刻对象膜的侧壁部的至少一部分沉积含硅膜。