公开(公告)号：CN110729187A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910938685.7

申请日：2014-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  小林史弥 ,  户村幕树

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。一种等离子体蚀刻方法，其对包含蚀刻对象膜和被图案化的掩模的被处理体进行等离子体蚀刻，所述方法具有：第1工序：使用前述掩模对前述蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻；和第2工序：利用含硅气体的等离子体使含硅膜沉积在通过前述第1工序蚀刻了的前述蚀刻对象膜的侧壁部的至少一部分沉积含硅膜。

公开(公告)号：CN104867827B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201510080883.6

申请日：2015-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C2/006 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供一种对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的蚀刻方法。一技术方案的蚀刻方法包括以下工序：将具有由氧化硅构成的区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序(a)，在该工序(a)中，对该区域进行蚀刻且在该区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述区域进行蚀刻的工序(b)，在该方法中，交替地重复执行工序(a)和工序(b)。

公开(公告)号：CN105210178A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480027582.0

申请日：2014-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  小林史弥 ,  户村幕树

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种等离子体蚀刻方法，其对包含蚀刻对象膜和被图案化的掩模的被处理体进行等离子体蚀刻，所述方法具有：第1工序：使用前述掩模对前述蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻；和第2工序：利用含硅气体的等离子体使含硅膜沉积在通过前述第1工序蚀刻了的前述蚀刻对象膜的侧壁部的至少一部分沉积含硅膜。

公开(公告)号：CN111326413A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010276188.8

申请日：2014-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  小林史弥 ,  户村幕树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/033 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。一种等离子体蚀刻方法，其对包含蚀刻对象膜和被图案化的掩模的被处理体进行等离子体蚀刻，所述方法具有：第1工序：使用前述掩模对前述蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻；和第2工序：利用含硅气体的等离子体使含硅膜沉积在通过前述第1工序蚀刻了的前述蚀刻对象膜的侧壁部的至少一部分沉积含硅膜。

公开(公告)号：CN104867827A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510080883.6

申请日：2015-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C2/006 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供一种对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的蚀刻方法。一技术方案的蚀刻方法包括以下工序：将具有由氧化硅构成的区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序(a)，在该工序(a)中，对该区域进行蚀刻且在该区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述区域进行蚀刻的工序(b)，在该方法中，交替地重复执行工序(a)和工序(b)。