公开(公告)号：CN112420508A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010841594.4

申请日：2020-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大堀高宽 ,  三浦太树 ,  小笠原正宏

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67

Abstract: 一种能够提高硼膜或含硼膜的蚀刻的垂直性的蚀刻方法。该蚀刻方法包括：准备基板的工序，在所述基板上形成有硼膜或含硼膜；供给处理气体的工序，所述处理气体含有氯气、含氟气体、以及含氢气体；以及通过所述处理气体的等离子体经由掩模对所述硼膜或所述含硼膜进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN116034455A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202280005781.6

申请日：2022-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  三浦太树 ,  朴宰永 ,  福永裕介

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有含硅膜和含硅膜上的掩模的基板提供至腔室内的基板支撑部上的工序；和(b)将含硅膜进行蚀刻的工序，所述(b)的工序包含下述的工序：(b‑1)使用由第一处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述第一处理气体含有氟化氢气体和控制氟化氢与含硅膜的反应的反应控制气体，第一处理气体中，作为反应控制气体，含有促进反应的反应促进气体和抑制反应的反应抑制气体中的至少一者；和(b‑2)使用由含有氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，第二处理气体中，以比第一处理气体中的反应促进气体小的分压含有促进反应的反应促进气体、和/或以比第一处理气体中的反应抑制气体高的分压含有抑制反应的反应抑制气体、或不含有反应控制气体。