-
公开(公告)号：CN112420508A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010841594.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67
Abstract: 一种能够提高硼膜或含硼膜的蚀刻的垂直性的蚀刻方法。该蚀刻方法包括：准备基板的工序，在所述基板上形成有硼膜或含硼膜；供给处理气体的工序，所述处理气体含有氯气、含氟气体、以及含氢气体；以及通过所述处理气体的等离子体经由掩模对所述硼膜或所述含硼膜进行蚀刻的工序。
Search Results
1
records
(took 0.124 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
