公开(公告)号：CN1595619A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410073909.6

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。

公开(公告)号：CN101447426B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200810180924.9

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。

公开(公告)号：CN101447426A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810180924.9

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。