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公开(公告)号：CN101800161A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010103969.3
申请日：2010-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32697
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。该等离子体蚀刻方法，能够以形状性能良好且高蚀刻率对被蚀刻膜进行蚀刻从而形成高深宽比的孔。当通过等离子体蚀刻在蚀刻对象膜形成孔时，接通等离子体生成用高频电力施加单元，在处理容器内生成等离子体，并且交替反复以下第一条件和第二条件：第一条件，从直流电源对上部电极施加负的直流电压，第二条件，关断等离子体生成用高频电力施加单元使处理容器内的等离子体猝灭，并且从直流电源对上部电极施加负的直流电压，利用第一条件由等离子体中的正离子使蚀刻进行，利用第二条件生成负离子，由所述直流电压将负离子供向上述孔内，由此中和孔内的正电荷。
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公开(公告)号：CN1595619A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410073909.6
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
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公开(公告)号：CN1679148A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820645.5
申请日：2003-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J2237/0044 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理方法，所述方法向真空室(1)内供给Ar气，并在该情况下，首先从高频电源(11)向载置台(2)(下部电极)供给诸如300W等的较低的高频电力，从而产生弱等离子体，并作用在半导体晶片(W)上，调整积蓄在半导体晶片内部的电荷状态。此时，为了使电荷容易移动，不在静电卡盘(4)上加载直流电压(HV)。此后，开始对静电卡盘(4)上加载直流电压，然后供给2000W等通常处理用的高频电力，进而产生强的等离子体，并进行通常的等离子体处理。因此，能够防止发生在被处理基片上生成的表面电弧，并且与目前技术相比，可以谋求提高生产性的提高。
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公开(公告)号：CN100414672C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN03820645.5
申请日：2003-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J2237/0044 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理方法，所述方法向真空室(1)内供给Ar气，并在该情况下，首先从高频电源(11)向载置台(2)(下部电极)供给诸如300W等的较低的高频电力，从而产生弱等离子体，并作用在半导体晶片(W)上，调整积蓄在半导体晶片内部的电荷状态。此时，为了使电荷容易移动，不在静电卡盘(4)上加载直流电压(HV)。此后，开始对静电卡盘(4)上加载直流电压，然后供给2000W等通常处理用的高频电力，进而产生强的等离子体，并进行通常的等离子体处理。因此，能够防止发生在被处理基片上生成的表面电弧，并且与目前技术相比，可以谋求提高生产性的提高。
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公开(公告)号：CN101800161B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010103969.3
申请日：2010-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32697
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。该等离子体蚀刻方法，能够以形状性能良好且高蚀刻率对被蚀刻膜进行蚀刻从而形成高深宽比的孔。当通过等离子体蚀刻在蚀刻对象膜形成孔时，接通等离子体生成用高频电力施加单元，在处理容器内生成等离子体，并且交替反复以下第一条件和第二条件：第一条件，从直流电源对上部电极施加负的直流电压，第二条件，关断等离子体生成用高频电力施加单元使处理容器内的等离子体猝灭，并且从直流电源对上部电极施加负的直流电压，利用第一条件由等离子体中的正离子使蚀刻进行，利用第二条件生成负离子，由所述直流电压将负离子供向上述孔内，由此中和孔内的正电荷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101447426A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810180924.9
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
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公开(公告)号：CN115954254A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211221706.1
申请日：2022-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种控制程序、控制方法以及等离子体处理装置。通过向等离子体生成源供给电源功率并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏压功率来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，所述控制程序用于使计算机执行以下处理：观测所述电源功率或所述偏压功率的峰间电压值，与所述峰间电压值的变动相应地，固定所述电源功率与所述偏压功率的比率，并校正向所述等离子体生成源供给的电源功率和向所述载置台供给的偏压功率，以使得被观测的峰间电压值接近初始设定值。
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公开(公告)号：CN102194689B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110047371.1
申请日：2011-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/0273 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137
Abstract: 本发明提供即使形成的图案的深宽比也能够防止图案变形的蚀刻处理方法。在对处理室15内部施加等离子体生成用的高频电力55、对基座12施加离子引入用的高频电力56、对上部电极板27施加负电位的直流电力的基板处理装置10中，改良在晶片W上的光致抗蚀膜45形成的图案44的形状时，用等离子体对光致抗蚀膜45进行蚀刻，使用该光致抗蚀膜45对SiO2膜40通过等离子体蚀刻时，对上部电极板27施加负电位的直流电力，同时以脉冲波状施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56，造成未施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56的状态。
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公开(公告)号：CN101447426B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200810180924.9
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
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公开(公告)号：CN102194689A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110047371.1
申请日：2011-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/0273 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137
Abstract: 本发明提供即使形成的图案的深宽比也能够防止图案变形的蚀刻处理方法。在对处理室15内部施加等离子体生成用的高频电力55、对基座12施加离子引入用的高频电力56、对上部电极板27施加负电位的直流电力的基板处理装置10中，改良在晶片W上的光致抗蚀膜45形成的图案44的形状时，用等离子体对光致抗蚀膜45进行蚀刻，使用该光致抗蚀膜45对SiO2膜40通过等离子体蚀刻时，对上部电极板27施加负电位的直流电力，同时以脉冲波状施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56，造成未施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56的状态。
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