-
公开(公告)号：CN112309851A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010715163.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片处理方法，其包括：准备含有蚀刻对象膜和掩模的基片的步骤；用等离子体通过所述掩模来对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤；和在所述进行蚀刻的步骤之后，在规定的温度下对基片进行热处理的步骤。根据本发明，能够防止因沉积于蚀刻对象膜的反应生成物而使蚀刻对象膜受到损伤。
-
公开(公告)号：CN110246739A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910161278.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
-
公开(公告)号：CN110391141B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201910316833.1
申请日：2019-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够减少附着于上部电极的沉积物的量或者从上部电极除去沉积物的等离子体处理方法。在一实施方式的等离子体处理方法中，将电容耦合型等离子体处理装置的上部电极冷却。在等离子体处理装置的腔室内，设置有包含下部电极的支承台。上部电极设置于支承台的上方。在冷却上部电极的期间，利用在腔室内生成的等离子体来蚀刻基片的膜。在蚀刻膜的期间，基片载置于支承台上。在执行蚀刻的期间，对上部电极施加负极性的偏置电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115954254A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211221706.1
申请日：2022-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种控制程序、控制方法以及等离子体处理装置。通过向等离子体生成源供给电源功率并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏压功率来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，所述控制程序用于使计算机执行以下处理：观测所述电源功率或所述偏压功率的峰间电压值，与所述峰间电压值的变动相应地，固定所述电源功率与所述偏压功率的比率，并校正向所述等离子体生成源供给的电源功率和向所述载置台供给的偏压功率，以使得被观测的峰间电压值接近初始设定值。
-
公开(公告)号：CN119585851A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380053613.9
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种控制程序、信息处理程序、控制方法、信息处理方法、等离子体处理装置以及信息处理装置。一种控制程序，是通过向等离子体生成源供给源电力并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏置电力来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，控制程序用于使计算机执行以下过程：观测源电力和偏置电力的峰间电压；以及调整作为用于控制观测到的峰间电压的变动幅度的调整用参数的、向等离子体生成源供给的源电力、向载置台供给的偏置电力、向配置于载置台的周围的外周构件施加的直流电压、以及连接在直流电压的供给源与外周构件之间的滤波器电路的阻抗。
-
公开(公告)号：CN110246739B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910161278.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
-
公开(公告)号：CN115881505A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211193061.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，在等离子体处理前适当地对腔室的内部的构件的表面进行预涂布。等离子体处理方法包含以下工序：工序(a)，利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜；以及工序(b)，在对所述构件的表面形成所述第一保护膜之后，利用第二处理气体的等离子体对被搬入到所述腔室的内部的处理对象体进行等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN110391141A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910316833.1
申请日：2019-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够减少附着于上部电极的沉积物的量或者从上部电极除去沉积物的等离子体处理方法。在一实施方式的等离子体处理方法中，将电容耦合型等离子体处理装置的上部电极冷却。在等离子体处理装置的腔室内，设置有包含下部电极的支承台。上部电极设置于支承台的上方。在冷却上部电极的期间，利用在腔室内生成的等离子体来蚀刻基片的膜。在蚀刻膜的期间，基片载置于支承台上。在执行蚀刻的期间，对上部电极施加负极性的偏置电压。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
