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公开(公告)号：CN110246739A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910161278.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
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公开(公告)号：CN110246739B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910161278.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
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公开(公告)号：CN110391141A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910316833.1
申请日：2019-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够减少附着于上部电极的沉积物的量或者从上部电极除去沉积物的等离子体处理方法。在一实施方式的等离子体处理方法中，将电容耦合型等离子体处理装置的上部电极冷却。在等离子体处理装置的腔室内，设置有包含下部电极的支承台。上部电极设置于支承台的上方。在冷却上部电极的期间，利用在腔室内生成的等离子体来蚀刻基片的膜。在蚀刻膜的期间，基片载置于支承台上。在执行蚀刻的期间，对上部电极施加负极性的偏置电压。
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公开(公告)号：CN110391141B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201910316833.1
申请日：2019-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够减少附着于上部电极的沉积物的量或者从上部电极除去沉积物的等离子体处理方法。在一实施方式的等离子体处理方法中，将电容耦合型等离子体处理装置的上部电极冷却。在等离子体处理装置的腔室内，设置有包含下部电极的支承台。上部电极设置于支承台的上方。在冷却上部电极的期间，利用在腔室内生成的等离子体来蚀刻基片的膜。在蚀刻膜的期间，基片载置于支承台上。在执行蚀刻的期间，对上部电极施加负极性的偏置电压。
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公开(公告)号：CN114975060A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210146084.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板温度校正方法，能够抑制由温度调整介质的温度变化的影响引起的基板的温度变化。基板处理装置的载置台形成有用于载置基板的载置面，在载置台的内部形成有用于流通温度调整介质的流路，在载置面形成有用于喷出传热气体的喷出口。气体供给部供给从喷出口喷出的传热气体。测量部测量在流路中流通的温度调整介质的温度。在由测量部测量的温度调整介质的温度变化了规定温度以上的情况下，在从该变化的定时起经过规定时间后，控制部控制从气体供给部供给的传热气体的压力，以消除由温度调整介质的温度变化引起的基板的温度变化，所述规定时间是载置于载置面的基板由于温度调整介质的温度变化而发生温度变化的时间。
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